[發(fā)明專利]層排列的制造方法以及層排列

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310390868.2
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103681286A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 戈帕拉克里施南·特里奇·倫加拉詹;克里斯蒂安·法什曼
• 申請（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/768;H01L23/48;B82Y40/00;B82Y10/00
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.層排列的制造方法，包括：

提供具有面的第一層；

在所述第一層中形成朝向所述第一層的所述面開口的一個以上納米孔；

在形成所述納米孔之后，在所述第一層的所述面上沉積第二層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第二層填充所述納米孔的至少部分并且覆蓋所述第一層的所述面的至少部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，在所述第一層中形成所述納米孔包括：

在所述第一層的所述面上形成納米多孔掩模層；

使用所述納米多孔掩模層作為蝕刻掩模蝕刻所述第一層；以及

在蝕刻所述第一層之后去除所述納米多孔掩模層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中，在所述第一層的所述面上形成所述納米多孔掩模層包括在所述第一層的所述面上形成納米多孔氧化鋁層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，

其中在所述第一層的所述面上形成所述納米多孔氧化鋁層包括：

在所述第一層的所述面上沉積鋁層；以及在酸性電解液中陽極氧化所述鋁層。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，

其中，在所述第一層的所述面上形成所述納米多孔掩模層包括在所述第一層的所述面上形成納米多孔聚合物層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，

其中，在所述第一層的所述面上形成所述納米多孔聚合物層包括：

在所述第一層的所述面上沉積嵌段共聚物材料；以及選擇性蝕刻所述嵌段共聚物材料的至少一種聚合物組分。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在所述第一層的所述面上沉積所述第二層之后，加熱所述第二層；以及

在加熱所述第二層之后，在所述第一層的所述面上沉積第三層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第三層包含與所述第二層相同的材料。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，進(jìn)一步包括：

在加熱所述第二層之前清洗所述第二層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第二層包含以下材料中的一種以上：金屬或金屬合金、玻璃材料、聚合物材料、陶瓷材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，

其中，所述第一層包含半導(dǎo)體材料，所述第二層包含金屬或金屬合金。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，

其中，提供所述第一層包括提供半導(dǎo)體襯底，其中，所述第一層是所述半導(dǎo)體襯底的部分。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，

其中，所述半導(dǎo)體襯底是晶片。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，

其中，所述第一層的所述面是所述晶片的背面，所述第二層包括背面金屬化。

16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，

其中，所述第一層包括電氣端子區(qū)。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，

其中，所述電氣端子區(qū)包括源極/漏極區(qū)。

18.層排列的制造方法，包括：

提供具有面的半導(dǎo)體層；

在所述半導(dǎo)體層中形成朝向所述半導(dǎo)體層的所述面開口的多個納米孔；

在所述半導(dǎo)體層的所述面上沉積金屬或金屬合金以填充所述納米孔的至少部分并且覆蓋所述半導(dǎo)體層的所述面的至少部分。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，

其中，在所述半導(dǎo)體層中形成所述多個納米孔包括：

在所述半導(dǎo)體層的所述面上形成納米多孔掩模層；以及使用所述納米多孔掩模層作為蝕刻掩模蝕刻所述半導(dǎo)體層。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，

其中，所述納米多孔掩模層包含納米多孔氧化鋁或納米多孔聚合物材料。