[發明專利]凸點結構

有效

• 申請號: 201310388971.3
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103413799A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 施建根;吳謙國;陳文軍
• 申請（專利權）人: 南通富士通微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L23/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種凸點結構，包括：

半導體襯底，位于半導體襯底上的焊墊層和鈍化層，所述焊墊層鑲嵌于鈍化層中，且通過鈍化層上的開口暴露出焊墊層；

金屬柱，位于開口內的焊墊層上及開口周圍部分鈍化層上；

凸點，位于所述金屬柱上；

其特征在于，所述金屬柱包括位于焊墊層上的第一金屬層和位于第一金屬層上的第二金屬層，所述第一金屬層的水平投影面積大于第二金屬層的水平投影面積。

2.如權利要求1所述的凸點結構，其特征在于，所述第一金屬層與第二金屬層的截面成倒T形。

3.如權利要求2所述的凸點結構，其特征在于，所述第一金屬層與第二金屬層的厚度比為1：80～1：60。

4.如權利要求3所述的凸點結構，其特征在于，所述第一金屬層的厚度為0.5μm～2μm，第二金屬層的厚度為40μm～120μm。

5.如權利要求1所述的凸點結構，其特征在于，所述金屬柱的材料為銅或者銅合金。

6.如權利要求1所述的凸點結構，其特征在于，還包括：凸點下金屬層，位于焊墊層和金屬柱之間。

7.如權利要求1所述的凸點結構，其特征在于，還包括：緩沖層，位于所述鈍化層上。

8.如權利要求7所述的凸點結構，其特征在于，所述緩沖層的材料為聚對環氧樹脂、聚酰亞胺或者苯并環丁烯樹脂。

9.如權利要求1所述的凸點結構，其特征在于，還包括：粘附層，位于所述金屬柱和所述凸點之間。

10.如權利要求9所述的凸點結構，其特征在于，所述粘附層的材料為鎳、錫、錫鉛、金、銀、鈀和銦中的一種或者多種的任意組合。