[發明專利]粘合帶粘貼方法和粘合帶粘貼裝置在審
| 申請號: | 201310388691.2 | 申請日: | 2013-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN103681229A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 奧野長平;山本雅之 | 申請(專利權)人: | 日東電工株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 粘合 粘貼 方法 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及將支承用的粘合帶粘貼于被載置于環形框的中央的半導體晶圓(以下,適當稱為“晶圓”)的背面和該環形框上而使該半導體晶圓和該環形框一體化的粘合帶粘貼方法和粘合帶粘貼裝置。
背景技術
為了在切割工序中自晶圓分斷出的芯片零件不會飛散,提出了一種在將支承用的粘合帶粘貼于晶圓時使粘合帶密合于晶圓背面的方法。在此,為了謀求用于實施該方法的裝置的小型化,不利用粘貼輥,而是利用粘合帶將由上下成對的罩構成的腔室內分隔開而形成兩個空間,在使一個空間內的氣壓低于另一個空間內的氣壓的狀態下將該粘合帶粘貼于晶圓(參照日本特開2011-109008號公報)。
然而,在上述以往方法中存在如下那樣的問題。
即,由于在沿帶狀的粘合帶的長度方向對粘合帶施加了張力的狀態下將粘合帶粘貼于環形框,因此張力不均勻(一個方向上的張力大于另一個方向上的張力)地作用于粘合帶。在該情況下,沿著粘合帶的長度方向產生起伏的縱向褶皺。該縱向褶皺與粘合帶的特性、溫度以及濕度等環境變化相對應地變化。即,即使對粘合帶施加預先設定的張力,有時也產生目視無法確認的程度的起伏。當在這樣的狀態下將粘合帶粘貼于晶圓時,會在粘接界面產生氣泡而不能完全密合。
尤其是,為了對隨著近年來的高密度安裝的要求而薄型化的晶圓進行加強,以在背面外周留下環狀凸部的方式對晶圓進行背磨處理。在利用以往方法將粘合帶粘貼于該晶圓背面的情況下,存在暫時粘貼于晶圓的粘合帶因微小的張力不均勻而在晶圓中央的扁平面與環狀凸部之間的角部產生剝離這樣的問題。即,若產生粘合帶的剝離,則會產生在切割處理時分斷出的芯片發生飛散這樣的問題。
發明內容
本發明是鑒于這樣的情況而做出的,其目的在于提供能夠將支承用的粘合帶精度良好地粘貼于半導體晶圓的在外周形成有環狀凸部的這一側的表面的粘合帶粘貼方法和粘合帶粘貼裝置。
在此,本發明為了達到這樣的目的而采用如下技術方案。
即,一種粘合帶粘貼方法,其是用于借助支承用的粘合帶將半導體晶圓粘接和保持于環形框的粘合帶粘貼方法,其中,上述粘合帶粘貼方法包括以下的過程:第1粘貼過程,在該第1粘貼過程中,在自寬度大于上述環形框的外形的寬度的帶狀的粘合帶的長度方向和寬度方向對粘合帶施加了張力的狀態下,將粘合帶粘貼于該環形框;第2粘貼過程,在該第2粘貼過程中,利用成對的罩將上述環形框與半導體晶圓的之間的粘合帶夾住而形成腔室,將由該粘合帶分隔成的、容納有半導體晶圓的一側的空間減壓至低于另一個空間的氣壓,從而將粘合帶粘貼于半導體晶圓的形成于半導體晶圓外周的環狀凸部和該環狀凸部的內側的扁平面;以及切割過程,在該切割過程中,沿上述環形框的外形對粘合帶進行切割。
采用該方法,由于自帶狀的粘合帶的長度方向和寬度方向對粘合帶施加張力,因此粘合帶被自其四周被施加大致均勻的張力。即,能夠在張力的施加狀況沒有不均勻的狀態下將粘合帶粘貼于環形框。并且,在該狀態下,能夠一邊在腔室內利用壓力差自粘合帶的中心呈放射狀地對粘合帶施加均等的張力一邊將該粘合帶粘貼于半導體晶圓。因而,能夠防止由于對粘合帶施加的張力不均勻的狀況而產生的在粘接界面產生氣泡和粘合帶自環狀凸部和扁平面之間的角部剝離的情況。其結果,能夠防止因切割處理而分斷出的芯片發生飛散。
此外,在上述方法中,優選的是,在第1粘貼過程中,在沿粘合帶的長度方向對粘合帶施加張力之后,利用檢測器測定表面的起伏狀態,與該起伏的產生狀態相對應地調整寬度方向的張力。
例如,預先求出與沿粘合帶的長度方向對粘合帶施加的張力相對應地變化的表面的起伏圖案,在第1粘貼過程中,在積極地施加張力直至粘合帶的表面產生規定的起伏圖案之后,沿粘合帶的寬度方向持續對粘合帶施加張力,直到檢測器檢測到該起伏被消除為止。
采用該方法,由于在故意使粘合帶的表面產生起伏之后,對粘合帶施加張力直至消除該起伏為止,因此能夠切實地消除張力的施加狀況存在張力不均勻。
本發明為了達到上述目的而采用如下技術方案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





