[發明專利]高產量半導體裝置

有效

• 申請號: 201310386708.0
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103474421B
• 公開（公告）日: 2016-10-12
• 發明（設計）人: 俞志明;呂忠;G·辛格;顧偉
• 申請（專利權）人: 晟碟信息科技（上海）有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L21/66;H01L21/50
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

第一裸芯堆疊，粘附到所述襯底；

第一組引線接合件，將所述第一裸芯堆疊引線接合到所述襯底；

第一模塑復合物，至少包封所述第一組引線接合件；

第二裸芯堆疊，安裝在所述第一裸芯堆疊上方；

第二組引線接合件，將所述第二裸芯堆疊引線接合到所述襯底；

第二模塑復合物，至少包封所述第二組裸芯堆疊、所述第二組引線接合件和所述第一模塑復合物。

2.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一裸芯堆疊在第一方向上成階梯狀，而所述第二裸芯堆疊在相反的第二方向上成階梯狀。

3.根據權利要求2的半導體裝置，其中，所述第二裸芯堆疊的最底部的裸芯比第二裸芯堆疊中的其他裸芯更厚。

4.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一裸芯堆疊在第一方向上成階梯狀，且所述第二裸芯堆疊在相同的方向上成階梯狀。

5.根據權利要求4的半導體裝置，還包括在所述第一裸芯堆疊和所述第二裸芯堆疊之間的電介質間隔體層。

6.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一模塑復合物未完全包封整個所述第一裸芯堆疊。

7.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一模塑復合物包封整個所述第一裸芯堆疊。

8.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一裸芯堆疊和所述第二裸芯堆疊的每個包括八個存儲器裸芯。

9.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一裸芯堆疊和所述第二裸芯堆疊的每個包括六個存儲器裸芯。

10.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述第一裸芯堆疊和所述第二裸芯堆疊的每個包括四個存儲器裸芯。

11.根據權利要求1的半導體裝置，還包括控制器裸芯。

12.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述半導體裝置是柵格陣列半導體封裝體。

13.根據權利要求1的半導體裝置，其中，所述半導體封裝體是球柵陣列半導體封裝體，且還包括安裝到所述襯底的表面上的接觸襯墊的多個焊料球，所述接觸襯墊所在表面與所述襯底的包括所述第一裸芯堆疊和所述第二裸芯堆疊的表面相反。

14.一種半導體裝置，包括：

襯底；

第一裸芯堆疊，粘附到所述襯底；

第一組引線接合件，將所述第一裸芯堆疊引線接合到所述襯底；

第一模塑復合物，至少包封所述第一組引線接合件；

第二裸芯堆疊，安裝在所述第一模塑復合物和第一裸芯堆疊上方；

第二組引線接合件，將所述第二裸芯堆疊引線接合到所述襯底；

第二模塑復合物，包封所述第二裸芯堆疊、所述第二組引線接合件、所述第一模塑復合物和未被所述第一模塑復合物包封的第一裸芯堆疊的任何部分。

15.根據權利要求14的半導體裝置，其中，所述第一模塑復合物的表面與所述第二裸芯堆疊中的最底部的裸芯的表面共平面。

16.根據權利要求14的半導體裝置，還包括在所述第一裸芯堆疊和所述第二裸芯堆疊之間的電介質間隔體層。

17.根據權利要求16的半導體裝置，其中，所述第一模塑復合物的表面與所述間隔體層的表面共平面。

18.根據權利要求14的半導體裝置，其中，所述第一模塑復合物未完全包封整個所述第一裸芯堆疊。

19.根據權利要求14的半導體裝置，其中，所述第一模塑復合物包封整個所述第一裸芯堆疊。

20.一種形成半導體裝置的方法，包括如下步驟：

(a)在襯底上安裝第一裸芯堆疊；

(b)將所述第一裸芯堆疊電連接到所述襯底；

(c)包封所述第一裸芯堆疊的至少一部分；

(d)測試所述第一裸芯堆疊的功能性；

(e)如果在所述步驟（d）中所述第一裸芯堆疊在預定參數內工作，則將第二裸芯堆疊安裝在所述第一裸芯堆疊上；

(f)將所述第二裸芯堆疊電連接到所述襯底；以及

(g)在第二包封步驟中包封所述第二裸芯堆疊。