[發明專利]有機發光二極管陽極連接結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201310386378.5
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103413898A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 楊宗穎
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種有機發光二極管陽極連接結構，其特征在于，包括：薄膜晶體管（20）及位于薄膜晶體管（20）上的有機發光二極管的陽極（40），所述薄膜晶體管（20）包括位于基板（22）上的低溫多晶硅層（24）、位于低溫多晶硅層（24）上的柵極絕緣層（26）、位于柵極絕緣層（26）上的柵極、位于柵極上的保護層（27）及位于保護層（27）上的源/漏極（28），所述有機發光二極管的陽極（40）連接于所述低溫多晶硅層（24）上。

2.如權利要求1所述的有機發光二極管陽極連接結構，其特征在于，所述薄膜晶體管（20）與有機發光二極管的陽極（40）之間還設有平坦化層（60）。

3.如權利要求1所述的有機發光二極管陽極連接結構，其特征在于，所述基板（22）為玻璃基板。

4.如權利要求1所述的有機發光二極管陽極連接結構，其特征在于，所述基板（22）與低溫多晶硅層（24）之間還設有隔離層（29）。

5.如權利要求1所述的有機發光二極管陽極連接結構，其特征在于，所述有機發光二極管的陽極（40）包括氧化銦錫層、氧化銦鋅、鋁層、銀層、及鉬層之一或其疊層。

6.一種有機發光二極管陽極連接結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供一基板（22），該基板（22）上形成有薄膜晶體管（20）；

步驟2、在薄膜晶體管（20）上形成平坦化層（60）；

步驟3、在平坦化層（60）及薄膜晶體管（20）上挖孔，露出薄膜晶體管（20）的低溫多晶硅層（24）；

步驟4、在平坦化層（60）及露出的低溫多晶硅層（24）上形成導電層，并圖案化該導電層，以在低溫多晶硅層（24）上形成新的源/漏極（280），在平坦化層（60）上形成有機發光二極管的陽極（40），該有機發光二極管的陽極（40）連接于所述新的源/漏極（280）。

7.如權利要求6所述的有機發光二極管陽極連接結構的制作方法，其特征在于，所述薄膜晶體管（20）包括位于基板（22）上的低溫多晶硅層（24）、位于低溫多晶硅層（24）上的柵極絕緣層（26）、位于柵極絕緣層（26）上的柵極、位于柵極上的保護層（27）及位于保護層（27）上的源/漏極（28）。

8.如權利要求7所述的有機發光二極管陽極連接結構的制作方法，其特征在于，所述基板（22）為玻璃基板。

9.如權利要求7所述的有機發光二極管陽極連接結構的制作方法，其特征在于，所述基板（22）與低溫多晶硅層（24）之間還設有隔離層（29）。

10.如權利要求7所述的有機發光二極管陽極連接結構的制作方法，其特征在于，所述導電層包括氧化銦錫層、氧化銦鋅、鋁層、銀層、及鉬層之一或其疊層。