[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310386378.5
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103413898A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊宗穎
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
• 代理公司: 深圳市德力知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

有機(jī)發(fā)光二極管或有機(jī)發(fā)光顯示器（Organic?Light?Emitting?Diode?Display，OLED）又稱為有機(jī)電致發(fā)光二極管，是自20世紀(jì)中期發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。與液晶顯示器相比，有機(jī)電致發(fā)光二極管具有全固態(tài)、主動發(fā)光、高亮度、高對比度、超薄、低成本、低功耗、快速響應(yīng)、寬視角、工作溫度范圍寬、易于柔性顯示等諸多優(yōu)點(diǎn)。有機(jī)電致發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)一般包括：基板、陽極、陰極和有機(jī)功能層，其發(fā)光原理是通過陽極和陰極間蒸鍍的非常薄的多層有機(jī)材料，由正負(fù)載流子注入有機(jī)半導(dǎo)體薄膜后復(fù)合產(chǎn)生發(fā)光。有機(jī)電致發(fā)光二極管的有機(jī)功能層，一般由三個功能層構(gòu)成，分別為空穴傳輸功能層（Hole?Transport?Layer，HTL）、發(fā)光功能層（Emissive?Layer，EML）、電子傳輸功能層（Electron?Transport?Layer，ETL）。每個功能層可以是一層，或者一層以上，例如空穴傳輸功能層，有時可以細(xì)分為空穴注入層和空穴傳輸層；電子傳輸功能層，可以細(xì)分為電子傳輸層和電子注入層，但其功能相近，故統(tǒng)稱為空穴傳輸功能層，電子傳輸功能層。

目前，全彩有機(jī)電致發(fā)光二極管的制作方法以紅綠藍(lán)（RGB）三色并列獨(dú)立發(fā)光法、白光加彩色濾光片法、色轉(zhuǎn)換法三種方式為主，其中紅綠藍(lán)三色并列獨(dú)立發(fā)光法最有潛力，實(shí)際應(yīng)用最多，其制作方法是紅綠藍(lán)選用不同主體和客體的發(fā)光材料。

有機(jī)電致發(fā)光二極管，根據(jù)其驅(qū)動方式，可以分為無源驅(qū)動和有源驅(qū)動兩大類。即直接尋址和薄膜晶體管（TFT）矩陣尋址兩類。所述有源驅(qū)動類有機(jī)電致發(fā)光二極管即是有源矩陣式有機(jī)電致發(fā)光二極管（Active?Matrix?Organic?Light?Emitting?Device，AMOLED）。

由于AMOLED的像素電路和補(bǔ)償電路比液晶顯示裝置（Liquid?Crystal?Display，LCD）像素復(fù)雜的多，目前AMOLED產(chǎn)品的每英寸所擁有的像素（Pixels?Per?Inch，PPI）數(shù)目少于280個，解析度相對較低。

請參閱圖1及圖2，為現(xiàn)有的一種有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)的示意圖，其陽極100通過驅(qū)動薄膜晶體管的源/漏極300電性連接于低溫多晶硅層500上，由于該源/漏極300的金屬層的存在，使得其兩側(cè)開關(guān)薄膜晶體管之間的間距相對較大，使得像素的面積相對較大，導(dǎo)致每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目較少，進(jìn)而導(dǎo)致解析度相對較低。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)簡單，成本低，像素面積小，解析度高。

本發(fā)明的另一目的在于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)的制作方法，其制程簡單，能有效減小像素面積，提高解析度。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)，包括：薄膜晶體管及位于薄膜晶體管上的有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，所述薄膜晶體管包括位于基板上的低溫多晶硅層、位于低溫多晶硅層上的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的柵極、位于柵極上的保護(hù)層及位于保護(hù)層上的源/漏極，所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接于所述低溫多晶硅層上。

所述薄膜晶體管與有機(jī)發(fā)光二極管的陽極之間還設(shè)有平坦化層。

所述基板為玻璃基板。

所述基板與低溫多晶硅層之間還設(shè)有隔離層。

所述有機(jī)發(fā)光二極管的陽極包括氧化銦錫層、氧化銦鋅、鋁層、銀層、及鉬層之一或其疊層。

本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光二極管陽極連接結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：

步驟1、提供一基板，該基板上形成有薄膜晶體管；

步驟2、在薄膜晶體管上形成平坦化層；

步驟3、在平坦化層及薄膜晶體管上挖孔，露出薄膜晶體管的低溫多晶硅層；

步驟4、在平坦化層及露出的低溫多晶硅層上形成導(dǎo)電層，并圖案化該導(dǎo)電層，以在低溫多晶硅層上形成新的源/漏極，在平坦化層上形成有機(jī)發(fā)光二極管的陽極，該有機(jī)發(fā)光二極管的陽極連接于所述新的源/漏極。

所述薄膜晶體管包括位于基板上的低溫多晶硅層、位于低溫多晶硅層上的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的柵極、位于柵極上的保護(hù)層及位于保護(hù)層上的源/漏極。

所述基板為玻璃基板。

所述基板與低溫多晶硅層之間還設(shè)有隔離層。

所述導(dǎo)電層包括氧化銦錫層、氧化銦鋅、鋁層、銀層、及鉬層之一或其疊層。