[發(fā)明專利]功率MOS管及其制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310386346.5
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN103606561A
• 公開（公告）日: 2014-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 樓穎穎;賈璐
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種功率MOS管，其特征在于，包括：襯底；形成于所述襯底上的外延層；形成于所述外延層中的溝槽；形成于所述外延層中的體注入?yún)^(qū)；形成于所述體注入?yún)^(qū)中的源極注入?yún)^(qū)和接觸孔，形成于所述體注入?yún)^(qū)和源極注入?yún)^(qū)之間的抗擊穿離子注入?yún)^(qū)；形成于所述接觸孔內(nèi)的硅化物層和金屬層；

其中，所述接觸孔穿透所述體注入?yún)^(qū)，并伸入外延層中。

2.如權(quán)利要求1所述的功率MOS管，其特征在于，還包括：形成于所述溝槽內(nèi)的柵氧化層和多晶硅層；形成于所述外延層表面的介質(zhì)層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的功率MOS管，其特征在于，所述接觸孔的深度不超過溝槽的深度。

4.一種功率MOS管的制造方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，在所述襯底上形成外延層；

在所述外延層中形成溝槽；

在所述外延層中形成體注入?yún)^(qū)；

在所述體注入?yún)^(qū)上形成源極注入?yún)^(qū)；

對(duì)所述體注入?yún)^(qū)執(zhí)行第一次接觸孔刻蝕；

在所述體注入?yún)^(qū)和所述源極注入?yún)^(qū)之間形成抗擊穿離子注入?yún)^(qū)；

對(duì)所述體注入?yún)^(qū)執(zhí)行第二次接觸孔刻蝕形成接觸孔；

對(duì)所述接觸孔執(zhí)行接觸孔填充；

其中，所述接觸孔穿透所述體注入?yún)^(qū)，并伸入外延層中。

5.如權(quán)利要求4所述的功率MOS管的制造方法，其特征在于，所述接觸孔填充包括：在接觸孔的側(cè)壁和底壁上形成硅化物層；在接觸孔內(nèi)形成金屬層。

6.如權(quán)利要求4所述的功率MOS管的制造方法，其特征在于，在形成體注入?yún)^(qū)之前，在形成溝槽之后，還包括：在所述溝槽內(nèi)依次形成柵氧化層和多晶硅層。

7.如權(quán)利要求4所述的功率MOS管的制造方法，其特征在于，在執(zhí)行第一次接觸孔刻蝕之前，在形成源極注入?yún)^(qū)之后，還包括：在所述外延層的表面形成介質(zhì)層。

8.如權(quán)利要求4至7任一項(xiàng)所述的功率MOS管的制造方法，其特征在于，所述接觸孔的深度不超過溝槽的深度。