[發明專利]有機電致發光器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201310386244.3
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN104425752A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術領域

本發明涉及一種有機電致發光器件及其制備方法。

背景技術

有機電致發光器件（OLED）是基于有機材料的一種電流型半導體發光器件。其典型結構是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機發光材料作發光層，發光層上方有一層低功函數的金屬電極。當電極上加有電壓時，發光層就產生光輻射。

有機電致發光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機電致發光器件內部元件的材料發生老化進而失效，從而所述有機電致發光器件的壽命較短。

發明內容

基于此，有必要提供一種壽命較長的有機電致發光器件及其制備方法。

一種有機電致發光器件，包括依次層疊的陽極、發光層及陰極，其特征在于：所述有機電致發光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括碳氮化硅層及形成于所述碳氮化硅層表面的阻擋層；所述阻擋層的材料包括氮化物及硼化物，所述氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鉬中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述碳氮化硅層的厚度為100nm～150nm；所述阻擋層的厚度為100nm～200nm。

在其中一個實施例中，所述阻擋層中所述氮化物的質量百分含量為20%～40%，其余為所述硼化物。

在其中一個實施例中，所述封裝蓋的數量為3～5，3～5個所述封裝蓋依次層疊。

在其中一個實施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發光層及陰極均收容于所述收容腔。

一種有機電致發光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面制備發光層；

在所述發光層表面制備陰極；及

在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括碳氮化硅層及形成于所述碳氮化硅層表面的阻擋層，所述阻擋層的材料包括氮化物及硼化物，所述氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鉬中的至少一種。

在其中一個實施例中，所述碳氮化硅層的厚度為100nm～150nm；所述阻擋層的厚度為100nm～200nm。

在其中一個實施例中，所述阻擋層中所述氮化物的質量百分含量為20%～40%，其余為所述硼化物。

在其中一個實施例中，所述封裝蓋的數量為3～5，3～5個所述封裝蓋依次層疊。

在其中一個實施例中，所述碳氮化硅層采用等離子體增強化學氣相沉積法制備，原料氣體為甲基硅烷、氨氣及氫氣，其中所述甲基硅烷與所述氫氣的流量比為（4～10）：（190～210），所述氨氣與所述甲基硅烷的流量比為20:1～30:1，溫度為40～60℃，氣壓為30～60Pa，功率為0.1～0.5W/cm²。

上述有機電致發光器件及其制備方法，封裝蓋包括碳氮化硅層及形成于碳氮化硅層表面的阻擋層，兩層配合致密性高，可以有效的阻擋水氧等物質對有機電致發光器件的發光層及陰極的腐蝕，提高防水氧能力，從而有機電致發光器件的壽命較長。

附圖說明

圖1為一實施例的有機電致發光器件的結構示意圖；

圖2為一實施例的有機電致發光的制備方法的流程圖。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施例對有機電致發光器件及其制備方法進一步闡明。

請參閱圖1，一實施方式的有機電致發光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案的陽極10、功能層20、陰極30及封裝蓋40。

陽極10為導電玻璃或導電有機聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）薄膜基板。陽極10上具有制備有陽極圖形的ITO層。本實施方式中，ITO層的厚度為100nm。當然ITO層的厚度不限于為100nm，也可根據需要選擇其他厚度。

功能層20形成于陽極10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層、電子注入層。可以理解，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時功能層20僅包括發光層。

本實施方式中，空穴注入層的材料包括N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-聯苯-4-4′-二胺（NPB）及摻雜在NPB中的氧化鉬（MoO₃）。MoO₃的質量百分含量為30%。空穴注入層的厚度為10nm。