[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310386244.3
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN104425752A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極、發(fā)光層及陰極，其特征在于：所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括碳氮化硅層及形成于所述碳氮化硅層表面的阻擋層；所述阻擋層的材料包括氮化物及硼化物，所述氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鉬中的至少一種。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碳氮化硅層的厚度為100nm～150nm；所述阻擋層的厚度為100nm～200nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為20%～40%，其余為所述硼化物。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋的數(shù)量為3～5，3～5個(gè)所述封裝蓋依次層疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋與所述陽(yáng)極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽(yáng)極表面制備發(fā)光層；

在所述發(fā)光層表面制備陰極；及

在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽(yáng)極上，所述封裝蓋包括碳氮化硅層及形成于所述碳氮化硅層表面的阻擋層，所述阻擋層的材料包括氮化物及硼化物，所述氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述硼化物選自硼化鋁、六硼化鑭、硼化釩、硼化鈮、二硼化鈦及硼化鉬中的至少一種。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述碳氮化硅層的厚度為100nm～150nm；所述阻擋層的厚度為100nm～200nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為20%～40%，其余為所述硼化物。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述封裝蓋的數(shù)量為3～5，3～5個(gè)所述封裝蓋依次層疊。

10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述碳氮化硅層采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備，原料氣體為甲基硅烷、氨氣及氫氣，其中所述甲基硅烷與所述氫氣的流量比為（4～10）：（190～210），所述氨氣與所述甲基硅烷的流量比為20:1～30:1，溫度為40～60℃，氣壓為30～60Pa，功率為0.1～0.5W/cm²。