[發(fā)明專利]雙RESURF LDMOS器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310385923.9
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN103426932A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉正超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/78
• 分類號(hào): H01L29/78;H01L29/08
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)及制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種雙RESURF?LDMOS器件。

背景技術(shù)

橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體（LDMOS，Lateral?double-diffused?MOS?transistors）器件是本領(lǐng)域公知的一種半導(dǎo)體器件。LDMOS器件為相當(dāng)近似于傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）器件的一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。與傳統(tǒng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件一樣，LDMOS器件包括在半導(dǎo)體襯底中形成一對(duì)被溝道區(qū)域所分隔開來的源/漏極區(qū)域，并且依次于溝道區(qū)域上方形成柵電極。

雙RESURF?LDMOS器件（Double?Reduced?SURface?Field?LDMOS）的特點(diǎn)是在高壓阱NW-Well中的漏區(qū)和溝道之間的表面注入一個(gè)P層，稱為p-top，如圖1所示。p-top使漂移區(qū)更容易耗盡，在獲得高的擊穿電壓的同時(shí)，提高了漂移區(qū)濃度以降低導(dǎo)通電阻。在加入p-top以后，p-top的左右兩端和N漂移區(qū)各形成一個(gè)PN結(jié)，PN結(jié)的耗盡區(qū)改變了橫向電勢(shì)分布。當(dāng)器件工作在正常電壓條件下，p-top右端形成一個(gè)反偏PN結(jié)，增加的耗盡區(qū)使得表面電壓在此處迅速下降。雙RESURF?LDMOS器件減小了N漂移區(qū)和P襯底之間的橫向壓降，減小了交界處的電場(chǎng)。

雙RESURF?LDMOS器件可以比經(jīng)典LDMOS管具有更小的導(dǎo)通電阻和更大的導(dǎo)通電流，或者說，在同樣的耐壓標(biāo)準(zhǔn)下，雙RESURF?LDMOS器件可以減小器件的使用面積，從而節(jié)約芯片的面積，提高芯片的整體利用率。雙RESURF?LDMOS器件的成功研制，使得在同樣耐壓情況下的LDMOS器件來說，雙RESURF?LDMOS器件具有更好的導(dǎo)通能力。換句話說，在一定的輸出電阻條件下，雙RESURF?LDMOS器件將占用更小的芯片面積。

但是，圖1所示的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙RESURF?LDMOS器件沒有場(chǎng)板（Field?plate），而且導(dǎo)通電阻Rdson很高，一般為ohm.mm²（750V下）。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠?yàn)殡pRESURF?LDMOS器件提供場(chǎng)板并降低導(dǎo)通電阻Rdson的雙RESURF?LDMOS器件結(jié)構(gòu)。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種雙RESURF?LDMOS器件，其包括：

布置在第一摻雜類型的襯底表面的具有第二摻雜類型的漏極阱區(qū)；

布置在第一摻雜類型的襯底表面的與漏極阱區(qū)鄰接并且相對(duì)于漏極阱區(qū)對(duì)稱布置的具有第一摻雜類型的第一源極阱區(qū)和第二源極阱區(qū)；

布置在漏極阱區(qū)表面中央位置的具有第二摻雜類型并且摻雜濃度大于漏極阱區(qū)的漏極接觸區(qū)；

布置在漏極阱區(qū)表面與漏極接觸區(qū)鄰接并且相對(duì)于漏極接觸區(qū)對(duì)稱布置的第一淺溝槽區(qū)域和第二淺溝槽區(qū)域；

布置在漏極阱區(qū)中并且分別布置在第一淺溝槽區(qū)域和第二淺溝槽區(qū)域下方的第一掩埋區(qū)域和第二掩埋區(qū)域，第一掩埋區(qū)域和第二掩埋區(qū)域具有第一摻雜類型；

布置在第一源極阱區(qū)表面的具有第二摻雜類型的第一源極接觸區(qū)；

布置在第二源極阱區(qū)表面的具有第二摻雜類型的第二源極接觸區(qū)；

布置在襯底表面上的位于漏極阱區(qū)和第一源極阱區(qū)上方的第一柵極；以及

布置在襯底表面上的位于漏極阱區(qū)和第二源極阱區(qū)上方的第二柵極。

優(yōu)選地，第一摻雜類型為P型，第二摻雜類型為N型。

優(yōu)選地，第一摻雜類型為N型，第二摻雜類型為P型。

優(yōu)選地，第一源極接觸區(qū)和第二源極接觸區(qū)的摻雜濃度相同。

優(yōu)選地，第一源極接觸區(qū)S1和第二源極接觸區(qū)S2的摻雜濃度大于漏極阱區(qū)Ndrift0的摻雜濃度。

優(yōu)選地，所述的雙RESURF?LDMOS器件還包括：布置在第一源極阱區(qū)表面的具有第一摻雜類型的第一基極接觸區(qū)以及布置在第二源極阱區(qū)表面的具有第一摻雜類型的第二基極接觸區(qū)。

優(yōu)選地，第一基極接觸區(qū)與第一源極接觸區(qū)之間布置有第三淺溝槽區(qū)域；第二基極接觸區(qū)與第二源極接觸區(qū)之間布置有第四淺溝槽區(qū)域。

優(yōu)選地，第一淺溝槽區(qū)域和第一掩埋區(qū)域不接觸，第二淺溝槽區(qū)域和第二掩埋區(qū)域不接觸。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙RESURF?LDMOS器件。