[發明專利]雙RESURF LDMOS器件在審
| 申請號： | 201310385923.9 | 申請日： | 2013-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN103426932A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 劉正超 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/08 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | resurf ldmos 器件 | ||
1.一種雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于包括：
布置在第一摻雜類型的襯底表面的具有第二摻雜類型的漏極阱區；
布置在第一摻雜類型的襯底表面的與漏極阱區鄰接并且相對于漏極阱區對稱布置的具有第一摻雜類型的第一源極阱區和第二源極阱區；
布置在漏極阱區表面中央位置的具有第二摻雜類型并且摻雜濃度大于漏極阱區的漏極接觸區；
布置在漏極阱區表面與漏極接觸區鄰接并且相對于漏極接觸區對稱布置的第一淺溝槽區域和第二淺溝槽區域；
布置在漏極阱區中并且分別布置在第一淺溝槽區域和第二淺溝槽區域下方的第一掩埋區域和第二掩埋區域，第一掩埋區域和第二掩埋區域具有第一摻雜類型；
布置在第一源極阱區表面的具有第二摻雜類型的第一源極接觸區；
布置在第二源極阱區表面的具有第二摻雜類型的第二源極接觸區；
布置在襯底表面上的位于漏極阱區和第一源極阱區上方的第一柵極；以及
布置在襯底表面上的位于漏極阱區和第二源極阱區上方的第二柵極。
2.根據權利要求1所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于，第一摻雜類型為P型，第二摻雜類型為N型。
3.根據權利要求1所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于，第一摻雜類型為N型，第二摻雜類型為P型。
4.根據權利要求1或2所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于，第一源極接觸區和第二源極接觸區的摻雜濃度相同。
5.根據權利要求1或2所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于，第一源極接觸區S1和第二源極接觸區S2的摻雜濃度大于漏極阱區Ndrift0的摻雜濃度。
6.根據權利要求1或2所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于還包括：布置在第一源極阱區表面的具有第一摻雜類型的第一基極接觸區以及布置在第二源極阱區表面的具有第一摻雜類型的第二基極接觸區。
7.根據權利要求6所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于，第一基極接觸區與第一源極接觸區之間布置有第三淺溝槽區域；第二基極接觸區與第二源極接觸區之間布置有第四淺溝槽區域。
8.根據權利要求1或2所述的雙RESURF?LDMOS器件，其特征在于，第一淺溝槽區域和第一掩埋區域不接觸，第二淺溝槽區域和第二掩埋區域不接觸。
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