[發(fā)明專利]用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201310385922.4
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103441072A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 肖培
• 申請（專利權(quán)）人: 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法。

背景技術(shù)

硅化物阻擋層（salicide?block?layer，SAB）被用于保護(hù)硅片表面，在其保護(hù)下，硅片不與其它Ti,Co之類的金屬形成不期望的金屬硅化物。

在某些工藝中，采用氧化物層作為硅化物阻擋層。

需要對作為硅化物阻擋層的氧化物層（本文稱為“硅化物阻擋氧化物層”）進(jìn)行刻蝕，從而形成硅化物阻擋氧化物層圖案；這樣，刻蝕后留下的硅化物阻擋氧化物層下方的硅片表面不會形成金屬硅化物；而刻蝕后去除了硅化物阻擋氧化物層的硅片表面將形成金屬硅化物。

最初，一般通過單純的干法刻蝕工藝來刻蝕硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法。但是，這種方法往往只適合于刻蝕厚度大約為或者高于1500A的硅化物阻擋氧化物層。

隨著工藝的發(fā)展，已經(jīng)發(fā)展出首先利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕，隨后利用濕法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行后續(xù)刻蝕的方案。對于這種方案，為防止后續(xù)的濕法刻蝕時間過長而導(dǎo)致光阻遭到破壞，留給濕法刻蝕的硅化物阻擋氧化物層厚度要薄且控制好。因此在利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕時，希望能夠很好地控制刻蝕速度和剩余的硅化物阻擋氧化物層的厚度和均勻性。

然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，在利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕時，對于總厚度為300-400A的硅化物阻擋氧化物層，往往不能很好地控制對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕時干法刻蝕的刻蝕速度和刻蝕均勻性，而部分刻蝕后的硅化物阻擋氧化物層的厚度往往過于薄，無法很好地控制剩余硅化物阻擋氧化物層的厚度和均勻性。

因此，希望能夠提供一種能夠很好地控制利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕時的速度和刻蝕均勻性的技術(shù)方案。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠很好地控制利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕時的速度和刻蝕均勻性、由此能夠很好地控制剩余硅化物阻擋氧化物層的厚度和均勻性的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法。

為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其包括：

第一刻蝕步驟：在預(yù)定工藝條件下，利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕；

第二刻蝕步驟：利用濕法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行進(jìn)一步刻蝕，以形成硅化物阻擋氧化物層的圖案。

優(yōu)選地，所述用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法用于刻蝕總厚度為300-400A的硅化物阻擋氧化物層。

優(yōu)選地，利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕后剩余的硅化物阻擋氧化物層厚度為100A-200A。

優(yōu)選地，所述預(yù)定工藝條件為：150W-250W的刻蝕功率，50mT-100mT的壓力；不小于10sec的刻蝕時間。

優(yōu)選地，所述預(yù)定工藝條件為：150W-180W的刻蝕功率，50mT-75mT的壓力；不小于20sec的刻蝕時間。在該工藝條件下，可以得到最佳的刻蝕效果。

優(yōu)選地，所述用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法用于刻蝕總厚度為300A的硅化物阻擋氧化物層。

優(yōu)選地，所述預(yù)定工藝條件為：160W的刻蝕功率，65mT的壓力；不小于20sec的刻蝕時間。

由此，本發(fā)明通過降低刻蝕功率降低了刻蝕速度從而延長了刻蝕時間，并且在降低刻蝕功率的同時降低了刻蝕氣壓，從而同時確保了刻蝕均勻性，因此，本發(fā)明提供了一種用于硅化物阻擋氧化物層刻蝕方法，其能夠很好地控制利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進(jìn)行部分刻蝕時的速度和刻蝕均勻性，由此能夠很好地控制剩余硅化物阻擋氧化物層的厚度和均勻性。

附圖說明

結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法的流程圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法的流程圖。