[發明專利]用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法

在審

• 申請號: 201310385922.4
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103441072A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 肖培
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L21/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于包括：

第一刻蝕步驟：在預定工藝條件下，利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進行部分刻蝕；

第二刻蝕步驟：利用濕法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進行進一步刻蝕，以形成硅化物阻擋氧化物層的圖案。

2.根據權利要求1所述的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于，所述用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法用于刻蝕總厚度為300-400A的硅化物阻擋氧化物層。

3.根據權利要求2所述的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于，利用干法刻蝕對硅化物阻擋氧化物層進行部分刻蝕后剩余的硅化物阻擋氧化物層厚度為100A-200A。

4.根據權利要求1至3之一所述的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于，所述預定工藝條件為：150W-250W的刻蝕功率，50mT-100mT的壓力；不小于10sec的刻蝕時間。

5.根據權利要求1至3之一所述的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于，所述預定工藝條件為：150W-180W的刻蝕功率，50mT-75mT的壓力；不小于20sec的刻蝕時間。

6.根據權利要求1至3之一所述的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于，所述用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法用于刻蝕總厚度為300A的硅化物阻擋氧化物層。

7.根據權利要求6所述的用于硅化物阻擋氧化物層的刻蝕方法，其特征在于，所述預定工藝條件為：160W的刻蝕功率，65mT的壓力；不小于20sec的刻蝕時間。