[發明專利]提高整合被動器件電感器Q值的方法在審
| 申請號： | 201310385895.0 | 申請日： | 2013-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN103426729A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發明（設計）人： | 黎坡 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;H01L21/265;H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 整合 被動 器件 電感器 方法 | ||
1.一種提高整合被動器件電感器Q值的方法，其特征在于包括：
首先，提供高阻硅襯底；
此后，在對所提供的高阻硅襯底不經過任何處理的情況下直接對高阻硅襯底進行離子注入，從而在高阻硅襯底表面中注入摻雜原子；
隨后，在注入后的高阻硅襯底上直接生長一個層間絕緣層，以使得層間絕緣層直接形成在高阻硅襯底上；
然后，在層間絕緣層層上淀積金屬層，并形成金屬層的圖案從而制作電感器。
2.根據權利要求1所述的提高整合被動器件電感器Q值的方法，其特征在于，所述高阻硅襯底是電阻率大于或等于100歐姆·厘米的硅襯底。
3.根據權利要求1或2所述的提高整合被動器件電感器Q值的方法，其特征在于，對高阻硅襯底進行離子注入時在高阻硅襯底表面中注入的摻雜原子是Ar原子或Si原子。
4.根據權利要求1至3之一所述的提高整合被動器件電感器Q值的方法，其特征在于，所述層間絕緣層為二氧化硅層。
5.一種整合被動器件電感器，其特征在于包括：直接布置在高阻硅襯底上的層間絕緣層、以及布置在層間絕緣層層上的形成有金屬層圖案以形成電感器的金屬層；其中，高阻硅襯底表面通過離子注入而變成非晶化。
6.根據權利要求5所述的整合被動器件電感器，其特征在于，所述高阻硅襯底是電阻率大于或等于100歐姆·厘米的硅襯底。
7.根據權利要求5或6所述的整合被動器件電感器，其特征在于，高阻硅襯底表面中的摻雜原子為Ar原子或Si原子。
8.根據權利要求5至7之一所述的整合被動器件電感器，其特征在于，所述層間絕緣層為二氧化硅層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
