[發明專利]電容器結構及其制作方法

有效

• 申請號: 201310385805.8
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103426728A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 高超
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L23/522
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

1.一種電容器的制作方法，包括以下步驟：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上依次形成第一介質層以及第一多晶硅層，刻蝕所述第一多晶硅層以及第一介質層，暴露出部分半導體襯底；

在所述半導體襯底以及第一多晶硅層上依次形成第二介質層以及第二多晶硅層，刻蝕所述第二多晶硅層以及第二介質層，暴露出所述第一多晶硅層以及半導體襯底；

在所述半導體襯底以及第二多晶硅層上形成第三介質層，刻蝕所述第三介質層，形成溝槽，所述溝槽暴露出所述第二多晶硅層；

在所述第三介質層上以及所述溝槽中形成第四介質層，依次刻蝕所述第四介質層、第三介質層，形成第一通孔、第二通孔以及第三通孔，所述第一通孔暴露出所述半導體襯底，所述第二通孔暴露出所述第一多晶硅層，所述第三通孔暴露出所述第二多晶硅層；

在所述第一通孔、第二通孔、第三通孔以及溝槽中填充金屬物。

2.如權利要求1所述的電容器的制作方法，其特征在于：所述半導體襯底設有淺溝道隔離層。

3.如權利要求2所述的電容器的制作方法，其特征在于：所述半導體襯底為硅襯底，所述淺溝道隔離層為二氧化硅。

4.如權利要求1所述的電容器的制作方法，其特征在于：所述第四介質層的材質為二氧化硅或氮化硅。

5.如權利要求4所述的電容器的制作方法，其特征在于：所述第四介質層的厚度范圍是100埃～200埃。

6.如權利要求1所述的電容器的制作方法，其特征在于：所述金屬物的材質為鎢。

7.如權利要求6所述的電容器的制作方法，其特征在于：形成在所述溝槽中的鎢的厚度范圍是2000埃～4000埃。

8.如權利要求1所述的電容器的制作方法，其特征在于：所述第一介質層、第二介質層以及第三介質層的材質均為二氧化硅或氮化硅。

9.一種電容器的結構，采用如權利要求1至8中任意一種方法形成，包括：

半導體襯底；

依次形成于所述半導體襯底上的第一介質層、第一多晶硅層、第二介質層、第二多晶硅層、第三介質層以及第四介質層，所述第三介質層中設有溝槽，所述第四介質層形成在所述第三介質層表面以及溝槽內，所述第三介質層以及第四介質層中設有第一通孔、第二通孔和第三通孔，所述第一通孔暴露出所述半導體襯底，所述第二通孔暴露出所述第一多晶硅層，所述第三通孔暴露出所述第二多晶硅層；

形成于所述第一通孔、第二通孔、第三通孔以及溝槽中的金屬物。

10.如權利要求9所述的電容器的結構，其特征在于：所述半導體襯底中設有淺溝道隔離層。

11.如權利要求10所述的電容器的結構，其特征在于：所述電容器為金屬-多晶硅-多晶硅電容器。

12.如權利要求11所述的電容器的結構，其特征在于：所述第一介質層、所述第一多晶硅層、所述第二介質層以及所述第二多晶硅層形成在所述淺溝道隔離層上。

13.如權利要求10所述的電容器的結構，其特征在于：所述電容器為金屬-多晶硅-多晶硅-硅襯底電容器。

14.如權利要求13所述的電容器的結構，其特征在于：所述第一介質層、所述第一多晶硅層、所述第二介質層以及所述第二多晶硅層形成于所述半導體襯底上。