[發明專利]AMR MEMS制造方法

有效

• 申請號: 201310385749.8
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103420328A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發明（設計）人: 王俊杰
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體制造領域，更具體地說，本發明涉及一種AMR?MEMS制造方法。?

背景技術

微機電系統（MEMS，Micro-Electro-Mechanical?Systems）是將微電子技術與機械工程融合到一起的一種工業技術，它的操作范圍在微米范圍內。?

現如今，利用FeNi的各向異性磁阻（AMR，anisotropic?magneto?resistive）效應制造的微機電系統（AMR?MEMS）有靈敏度高，熱穩定性好，材料成本低，制備工藝簡單，已經得到了廣泛的應用，。?

但是，在現有AMR?MEMS制造方法中，由于AMR材料表面難以清洗，后續金屬層成長后會導致接觸孔高阻的技術問題。而接觸孔高阻的問題又會引發器件偏移的問題。?

具體地說，圖2至圖4示意性地示出了根據現有技術的AMR?MEMS制造方法。如圖2至圖4所示，在根據現有技術的AMR?MEMS制造方法中，首先，在硅片10上形成氧化膜和SiN膜層20，并且在SiN膜層20上形成FeNi膜層30，隨后刻蝕FeNi膜層30以在FeNi膜層30中形成凹槽，如圖2所示；對應于所述凹槽的位置來刻蝕FeNi膜層30；然后，沉積SiN覆蓋層40，并且對所述凹槽兩側的FeNi膜層30上的SiN覆蓋層40進行刻蝕以形成接觸孔凹槽，如圖3所示；在經過處理FeNi材料表面的清洗步驟之后，在接觸孔凹槽中沉積接觸孔金屬，例如金屬AL。?

但是，在上述方法中，AMR材料上面有SiN膜，然后在SiN上刻凹槽，然后?再沉積金屬AL。在刻蝕SiN膜時，會在AMR材料表面形成一些殘留，由于表面殘留，如圖1所示，隨后，當M1AL沉積上后，會形成高阻。?

因此，希望能夠提供一種能夠防止接觸孔高阻問題的AMR?MEMS制造方法。?

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠防止接觸孔高阻問題的AMR?MEMS制造方法。?

為了實現上述技術目的，根據本發明的第一方面，提供了一種AMR?MEMS制造方法，其包括：在硅片上直接形成氧化膜和SiN膜層；在SiN膜層上直接形成AMR材料層；在AMR材料層上直接形成金屬層；刻蝕金屬層以在金屬層中形成凹槽；針對所述凹槽的位置刻蝕AMR材料層；沉積SiN覆蓋層，并且對所述凹槽兩側的金屬層上的SiN覆蓋層進行刻蝕以形成金屬凹槽，并在金屬凹槽中填充金屬以形成接觸孔連接金屬層。?

優選地，所述AMR材料層是FeNi合金層。?

優選地，所述金屬層是金屬鋁層。?

優選地，通過干法刻蝕以在金屬層中形成凹槽。?

優選地，通過干法刻蝕針對所述凹槽的位置刻蝕AMR材料層。?

優選地，通過干法刻蝕進行刻蝕以形成接觸孔連接金屬層。?

根據本發明的第二方面，提供了一種根據本發明第一方面所述的AMR?MEMS制造方法制成的以及AMR?MEMS器件。?

根據本發明的AMR?MEMS制作方法去除了現有技術工藝中的接觸孔光刻步驟，在將金屬層和AMR材料沉積完成之后，先刻金屬層，然后再刻AMR材料；而現有技術工藝是第一步刻AMR材料，然后沉積SiN膜層，然后刻SiN膜層，之后再沉積金屬層，然后再刻金屬層。本發明的工藝可以減少一層光刻層次，可減少工藝成本，并能消除原有工藝高阻的問題。?

并且，根據本發明的AMR?MEMS制作方法無需處理材料表面的清洗步驟，簡化了工藝步驟。?

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：?

圖1示意性地示出了根據現有技術的AMR?MEMS制造方法的缺陷。?

圖2至圖4示意性地示出了根據現有技術的AMR?MEMS制造方法。?

圖5至圖7示意性地示出了根據本發明優選實施例的AMR?MEMS制造方法。?

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。?

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。?

圖5至圖7示意性地示出了根據本發明優選實施例的AMR?MEMS制造方法。?

具體地說，如圖5至圖7所示，根據本發明優選實施例的AMR?MEMS制造方法包括：?