[發(fā)明專利]AMR MEMS制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310385749.8 | 申請日： | 2013-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN103420328A | 公開（公告）日： | 2013-12-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王俊杰 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | amr mems 制造 方法 | ||
1.一種AMR?MEMS制造方法，其特征在于包括：
在硅片上直接形成氧化膜和SiN膜層；
在SiN膜層上直接形成AMR材料層；
在AMR材料層上直接形成金屬層；
刻蝕金屬層以在金屬層中形成凹槽；
針對所述凹槽的位置刻蝕AMR材料層；
沉積SiN覆蓋層，并且對所述凹槽兩側(cè)的金屬層上的SiN覆蓋層進行刻蝕以形成金屬凹槽，并在金屬凹槽中填充金屬以形成接觸孔連接金屬層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的AMR?MEMS制造方法，其特征在于，所述AMR材料層是FeNi合金層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AMR?MEMS制造方法，其特征在于，所述金屬層是金屬鋁層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AMR?MEMS制造方法，其特征在于，通過干法刻蝕以在金屬層中形成凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AMR?MEMS制造方法，其特征在于，通過干法刻蝕針對所述凹槽的位置刻蝕AMR材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的AMR?MEMS制造方法，其特征在于，通過干法刻蝕進行刻蝕以形成接觸孔連接金屬層。
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