[發明專利]微米級半導體器件的封裝方法及形成的封裝結構

在審

• 申請號: 201310385544.X
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104425291A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 吳勇軍
• 申請（專利權）人: 吳勇軍
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31
• 代理公司: 蘇州華博知識產權代理有限公司 32232
• 代理人: 孫艷

1.微米級半導體器件的封裝方法，包括：提供表面具有多個導體柱的晶片的準備步驟；在加入涂覆材料的步驟之后進行的去除部分涂覆材料層的步驟；其特征在于：所述加入涂覆材料的步驟為：貼著所述準備步驟后形成的所述晶片的起伏表面，通過噴膠設備噴涂涂覆材料并形成吻合所述起伏表面的形狀的涂覆材料層。

2.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于：所述涂覆材料層的厚度為4-20μm。

3.根據權利要求1或2所述的封裝方法，其特征在于：所述涂覆材料層覆蓋所述導體柱的自由端的端面及所述端面向所述導體柱的側表面過渡的拐角處的部分和所述涂覆材料層覆蓋的其他位置的部分相比，其厚度的比值約為1:3。

4.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于：所述去除部分涂覆材料層的步驟中：通過曝光設備顯影剝離所述涂覆材料層位于所述導體柱的自由端的端面到鄰近所述端面的所述導體柱的側表面上的部分。

5.根據權利要求4所述的封裝方法，其特征在于：所述去除部分涂覆材料層的步驟中：在顯影剝離以后，再通過烘烤設備進行烘烤殘余的涂覆材料。

6.根據權利要求5所述的封裝方法，其特征在于：在烘烤以后，再通過等離子清潔機清潔所述殘余的涂覆材料。

7.根據權利要求1所述的封裝方法，其特征在于：還包括在所述去除部分涂覆材料層的步驟后進行的施加焊料的步驟：在所述導體柱的自由端施加焊料，然后進行回流焊，使其形成包覆住所述導體柱的自由端的球形焊料。

8.根據權利要求1、6或7所述的封裝方法，其特征在于：還包括在去除部分涂覆材料層的步驟之后進行的在所述導體柱的自由端上施加防止所述導體柱氧化的隔離層的步驟。

9.根據權利要求8所述的封裝方法，其特征在于：所述隔離層由在所述導體柱的自由端上施加有機銅保護劑形成。

10.微米級半導體器件的封裝結構，包括晶片和設置在所述晶片上的多個導體柱，其特征在于：還包括涂覆材料層，其貼著所述晶片的起伏表面設置并形成吻合所述起伏表面的形狀。

11.根據權利要求10所述的封裝結構，其特征在于：所述涂覆材料層的厚度為4-20μm。

12.根據權利要求10或11所述的封裝結構，其特征在于：所述涂覆材料層覆蓋所述導體柱的自由端的端面及所述端面向所述導體柱的側表面過渡的拐角處的部分和所述涂覆材料層覆蓋的其他位置的部分相比，其厚度的比值為1:3。

13.根據權利要求10所述的封裝結構，其特征在于：所述導體柱的自由端上還設置有防止所述導體柱氧化的隔離層。

14.根據權利要求13所述的封裝結構，其特征在于：所述隔離層為有機銅保護劑層。

15.根據權利要求10、13或14所述的封裝結構，其特征在于：所述導體柱的自由端上還設置有包覆住所述導體柱的自由端的球形焊料。