[發明專利]檢測光阻層離子注入阻擋能力的方法

有效

• 申請號: 201310385397.6
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103441086A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 田慧
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術領域

本發明涉及液晶顯示器領域，尤其涉及一種檢測光阻層離子注入阻擋能力的方法。

背景技術

離子注入工藝是一種半導體材料的摻雜技術，具有低溫摻雜，掩蔽容易，精確的劑量控制，高均勻性的優勢，用于多個工藝步驟例如源漏極摻雜，溝道摻雜，輕摻雜漏極摻雜等，使得制成的半導體器件具有速度快，功耗低，穩定性好，良品率高等特點。由于在不同的離子注入工藝中，所需的能量劑量等條件是不同的，而且在進行離子注入時是在指定的區域摻雜，其他位置則需要用光刻膠等阻擋層掩蔽起來。不同厚度的光刻膠阻擋層對離子注入的阻擋能力是不同的，厚度太薄會使得離子容易穿透阻擋層，而太厚的光阻層在進行光刻時又很難控制關鍵尺寸，這就要求注入過程中選用厚度合適的光阻層。

現有技術中判斷光阻層的阻擋能力的方法包括以下步驟：提供多個測試硅片；在不同測試硅片上涂覆不同厚度的光刻膠層；測試每個硅片的光刻膠的厚度；將確定能量的離子注入涂有不同厚度的光刻膠層的硅片；去除各硅片的光刻膠層；采用次級離子質譜對各硅片進行測試，得到各硅片的離子量，當所述離子量在允許的范圍內時認為該離子量的硅片對應的光阻層的厚度是合適的。

上述現有技術為確定光刻膠對離子注入的阻擋能力，需要盡可能多的硅片逐個測試其離子量，這種方法一方面需要耗費大量費用很高的測試硅片，另一方面次級離子質譜是一種非常昂貴的測試手段且需要花費大量的測試時間，這就大大增加了檢測成本和時間。

發明內容

（一）要解決的技術問題

本發明要解決的技術問題是：解決在評價光阻層阻擋能力的過程中大量使用測試硅片而造成的檢測成本過高的問題。

（二）技術方案

為解決上述技術問題，本發明提供了一種檢測光阻層離子注入阻擋能力的方法，包括：

在基板上形成光阻層；

測量所述基板任意位置上光阻層的第一厚度，所述第一厚度為所述光阻層的厚度；

在所述光阻層上注入預設量的離子；

測量所述任意位置上光阻層的第二厚度，所述第二厚度為所述光阻層中硬化部分的厚度；

根據所述第二厚度判斷所述第一厚度的光阻層的離子注入阻擋能力。

進一步地，在基板上形成光阻層包括：

對所述基板進行前烘處理；

在經過所述前烘處理后的基板上形成光刻膠層；

對所述光刻膠層進行曝光和顯影處理，得到光阻層。

進一步地，所述前烘處理的前烘溫度為10～120℃，所述前烘處理的時間為10～120s。

進一步地，對所述光刻膠層進行曝光和顯影處理，得到光阻層，包括：

對于不同位置的光刻膠層采用不同的曝光時間進行曝光，得到不同厚度的光阻層。

進一步地，所述光阻層的厚度從所述基板的長度方向或寬度方向呈梯度變化。

進一步地，根據所述第二厚度判斷所述第一厚度的光阻層的離子注入阻擋能力包括：

計算所述第二厚度與所述第一厚度的比值；

判斷所述比值是否小于或等于預先設置的閾值，若是，確定所述第一厚度的光阻層具有離子注入阻擋能力，否則，確定所述第一厚度的光阻層不具有離子注入阻擋能力。

進一步地，所述閾值為區間[0.85,0.95]中的任意值。

（三）有益效果

本發明通過在光阻層上注入確定能量和劑量的離子，離子注入后離子到達的光阻層部分碳化變硬，與未變硬的光阻層部分形成一個明顯的分層，然后根據光阻層中硬化部分的厚度判斷光阻層是否具有離子注入阻擋能力，避免了在檢測光阻層離子注入阻擋能力的過程中使用測試硅片，從而減少了檢測過程所需的成本。

附圖說明

圖1是本發明實施方式提供的一種檢測光阻層離子注入阻擋能力的方法的流程圖；

圖2是本發明實施方式提供的光阻層注入離子后的縱截面示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本發明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發明，但不用來限制本發明的范圍。

圖1是本發明實施方式提供的一種檢測光阻層離子注入阻擋能力的方法的流程圖，包括：

步驟S1：在基板上形成光阻層；

例如，該基板可以為玻璃基板；

步驟S2：測量所述基板任意位置上光阻層的第一厚度，所述第一厚度為所述光阻層的厚度；

步驟S3：在所述光阻層上注入預設量的離子；