[發(fā)明專利]檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310385397.6
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN103441086A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田慧
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;G03F7/20
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，包括：

在基板上形成光阻層；

測(cè)量所述基板任意位置上光阻層的第一厚度，所述第一厚度為所述光阻層的厚度；

在所述光阻層上注入預(yù)設(shè)量的離子；

測(cè)量所述任意位置上光阻層的第二厚度，所述第二厚度為所述光阻層中硬化部分的厚度；

根據(jù)所述第二厚度判斷所述第一厚度的光阻層的離子注入阻擋能力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，在基板上形成光阻層包括：

對(duì)所述基板進(jìn)行前烘處理；

在經(jīng)過(guò)所述前烘處理后的基板上形成光刻膠層；

對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，得到光阻層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，所述前烘處理的前烘溫度為10～120℃，所述前烘處理的時(shí)間為10～120s。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，對(duì)所述光刻膠層進(jìn)行曝光和顯影處理，得到光阻層，包括：

對(duì)于不同位置的光刻膠層采用不同的曝光時(shí)間進(jìn)行曝光，得到不同厚度的光阻層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，所述光阻層的厚度從所述基板的長(zhǎng)度方向或?qū)挾确较虺侍荻茸兓?/p>

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，根據(jù)所述第二厚度判斷所述第一厚度的光阻層的離子注入阻擋能力包括：

計(jì)算所述第二厚度與所述第一厚度的比值；

判斷所述比值是否小于或等于預(yù)先設(shè)置的閾值，若是，確定所述第一厚度的光阻層具有離子注入阻擋能力，否則，確定所述第一厚度的光阻層不具有離子注入阻擋能力。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的檢測(cè)光阻層離子注入阻擋能力的方法，其特征在于，所述閾值為區(qū)間[0.85,0.95]中的任意值。