[發明專利]像素驅動單元及其驅動方法、像素電路

無效

• 申請號: 201310385314.3
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103440846A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 馬占潔
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: G09G3/32
• 分類號: G09G3/32
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素驅動單元及其驅動方法以及包括該像素驅動單元的像素電路。

背景技術

有機電致發光二極管（OLED，Organic?Light-Emitting?Diode）作為一種電流型發光器件已越來越多地被應用于高性能有源矩陣發光有機電致顯示管中。傳統的無源矩陣有機電致發光顯示管（Passive?Matrix?OLED）隨著顯示尺寸的增大，需要更短的單個像素的驅動時間，因而需要增大瞬態電流，增加功耗。同時大電流的應用會造成納米銦錫金屬氧化物線上壓降過大，并使OLED工作電壓過高，進而降低其效率。而有源矩陣有機電致發光顯示管（AMOLED，Active?Matrix?OLED）通過開關晶體管逐行掃描輸入OLED電流，可以很好地解決這些問題。

在AMOLED的像素電路設計中，主要需要解決的問題是各AMOLED像素驅動單元所驅動的OLED器件亮度的非均勻性。

首先，AMOLED采用薄膜晶體管（TFT，Thin-Film?Transistor）構建像素驅動單元為發光器件提供相應的驅動電流。現有技術中，大多采用低溫多晶硅薄膜晶體管或氧化物薄膜晶體管。與一般的非晶硅薄膜晶體管相比，低溫多晶硅薄膜晶體管和氧化物薄膜晶體管具有更高的遷移率和更穩定的特性，更適合應用于AMOLED顯示中。但是由于晶化工藝的局限性，在大面積玻璃基板上制作的低溫多晶硅薄膜晶體管，常常在諸如閾值電壓、遷移率等電學參數上具有非均勻性，這種非均勻性會轉化為OLED器件的驅動電流差異和亮度差異，并被人眼所感知，即色不均現象。氧化物薄膜晶體管雖然工藝的均勻性較好，但是與非晶硅薄膜晶體管類似，在長時間加壓和高溫下，其閾值電壓會出現漂移，由于顯示畫面不同，面板各部分薄膜晶體管的閾值漂移量不同，會造成顯示亮度差異，由于這種差異與之前顯示的圖像有關，因此常呈現為殘影現象。

由于OLED的發光器件是電流驅動器件，因此，在驅動發光器件發光的像素驅動單元中，其驅動晶體管的閾值特性對驅動電流和最終顯示的亮度影響很大。驅動晶體管受到電壓應力和光照都會使其閾值發生漂移，這種閥值漂移會在顯示效果上體現為亮度不均。

另外，現有AMOLED的像素電路為了消除驅動晶體管閾值電壓差所造成的影響，通常會將像素電路的結構設計的比較復雜，這會直接導致AMOLED的像素電路制作良品率的降低。

因此，為解決上述問題，本發明提供一種像素驅動單元及其驅動方法、像素電路。

發明內容

本發明所解決的技術問題是提供一種像素驅動單元及其驅動方法、像素電路，用于解決現有技術的像素驅動單元中驅動晶體管閾值漂移的問題。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：一種像素驅動單元，包括驅動子電路和控制子電路；其中，所述控制子電路連接數據線，所述驅動子電路連接所述控制子電路。

進一步地，所述控制子電路包括控制晶體管；其中，所述控制晶體管的柵極連接所述數據線和所述控制晶體管的漏極；所述控制晶體管的漏極連接所述驅動子電路。

進一步地，包括至少三條所述驅動子電路；其中，各所述驅動子電路均包括掃描信號線、開關晶體管、存儲電容、驅動晶體管和發光器件；

所述開關晶體管的柵極連接所述掃描信號線，源極連接所述控制晶體管的漏極，漏極分別連接所述驅動晶體管的柵極和所述存儲電容的第一端；

所述驅動晶體管的源極分別連接第一電壓端和所述存儲電容的第二端，漏極連接所述發光器件的陽極；

所述發光器件的陰極連接第二電壓端。

進一步地，所述發光器件為有機電致發光二極管。

進一步地，所述控制晶體管、開關晶體管和驅動晶體管均為P型場效應晶體管。

一種如上述中所述的像素驅動單元的驅動方法，包括：

所述數據線將數據電壓分別加載至所述控制晶體管的柵極和漏極；使所述控制晶體管的漏極具有所述數據電壓和所述控制晶體管的閥值電壓；

所述控制晶體管的漏極將所述數據電壓連同所述控制晶體管的閥值電壓加載至所述驅動子電路。

進一步地，還包括如下步驟：

存儲階段，所述掃描信號線開啟所述開關晶體管；所述控制晶體管的漏極將所述數據電壓連同所述控制晶體管的閥值電壓通過所述開關晶體管加載至所述驅動晶體管的柵極及所述存儲電容；

驅動階段，所述掃描信號線關閉所述開關晶體管；所述存儲電容使所述驅動晶體管保持開啟，以此驅動所述發光器件發光。