[發(fā)明專利]像素驅(qū)動(dòng)單元及其驅(qū)動(dòng)方法、像素電路

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310385314.3
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103440846A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬占潔
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): G09G3/32
• 分類號(hào): G09G3/32
• 代理公司: 北京路浩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國(guó)勝

1.一種像素驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，包括驅(qū)動(dòng)子電路和控制子電路；其中，所述控制子電路連接數(shù)據(jù)線，所述驅(qū)動(dòng)子電路連接所述控制子電路。

2.如權(quán)利要求1所述的像素驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述控制子電路包括控制晶體管；其中，所述控制晶體管的柵極連接所述數(shù)據(jù)線和所述控制晶體管的漏極；所述控制晶體管的漏極連接所述驅(qū)動(dòng)子電路。

3.如權(quán)利要求2所述的像素驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，包括至少三條所述驅(qū)動(dòng)子電路；其中，

各所述驅(qū)動(dòng)子電路均包括掃描信號(hào)線、開(kāi)關(guān)晶體管、存儲(chǔ)電容、驅(qū)動(dòng)晶體管和發(fā)光器件；

所述開(kāi)關(guān)晶體管的柵極連接所述掃描信號(hào)線，源極連接所述控制晶體管的漏極，漏極分別連接所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極和所述存儲(chǔ)電容的第一端；

所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極分別連接第一電壓端和所述存儲(chǔ)電容的第二端，漏極連接所述發(fā)光器件的陽(yáng)極；

所述發(fā)光器件的陰極連接第二電壓端。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述發(fā)光器件為有機(jī)電致發(fā)光二極管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的像素驅(qū)動(dòng)單元，其特征在于，所述控制晶體管、開(kāi)關(guān)晶體管和驅(qū)動(dòng)晶體管均為P型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

6.一種如權(quán)利要求2-5中任一所述的像素驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，包括：

所述數(shù)據(jù)線將數(shù)據(jù)電壓分別加載至所述控制晶體管的柵極和漏極；使所述控制晶體管的漏極具有所述數(shù)據(jù)電壓和所述控制晶體管的閥值電壓；

所述控制晶體管的漏極將所述數(shù)據(jù)電壓連同所述控制晶體管的閥值電壓加載至所述驅(qū)動(dòng)子電路。

7.如權(quán)利要求6所述的像素驅(qū)動(dòng)單元的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，還包括如下步驟：

存儲(chǔ)階段，所述掃描信號(hào)線開(kāi)啟所述開(kāi)關(guān)晶體管；所述控制晶體管的漏極將所述數(shù)據(jù)電壓連同所述控制晶體管的閥值電壓通過(guò)所述開(kāi)關(guān)晶體管加載至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的柵極及所述存儲(chǔ)電容；

驅(qū)動(dòng)階段，所述掃描信號(hào)線關(guān)閉所述開(kāi)關(guān)晶體管；所述存儲(chǔ)電容使所述驅(qū)動(dòng)晶體管保持開(kāi)啟，以此驅(qū)動(dòng)所述發(fā)光器件發(fā)光。

8.一種像素電路，其特征在于，包括多條所述數(shù)據(jù)線，每條所述數(shù)據(jù)線上連接多個(gè)如權(quán)利要求1-5中任一所述像素驅(qū)動(dòng)單元。