[發明專利]半導體器件有效
| 申請號： | 201310385151.9 | 申請日： | 2013-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN103684403A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 小田切直也 | 申請（專利權）人： | 瑞薩電子株式會社 |
| 主分類號： | H03K19/0175 | 分類號： | H03K19/0175 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038 | 代理人： | 陳華成 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 | ||
1.一種半導體器件，包括：
各自耦接至電感性或電容性負載的一端側和另一端側的第一輸出端子及第二輸出端子；
耦接于第一電壓與所述第一輸出端子之間的第一MOS晶體管；
耦接于第二電壓與所述第一輸出端子之間的第二MOS晶體管；
耦接于所述第一電壓與所述第二輸出端子之間的第三MOS晶體管；
耦接于所述第二電壓與所述第二輸出端子之間的第四MOS晶體管；以及
驅動所述第一MOS晶體管至所述第四MOS晶體管以便控制所述電感性或電容性負載的驅動電路，
其中所述驅動電路驅動所述第一MOS晶體管至所述第四MOS晶體管，同時提供停滯期以使得所述第一MOS晶體管及所述第二MOS晶體管或者所述第三MOS晶體管及所述第四MOS晶體管彼此不導通，并且
其中所述半導體器件還包括第一旁路晶體管及第二旁路晶體管，所述第一旁路晶體管及所述第二旁路晶體管各自被設置為對應于所述第一輸出端子及所述第二輸出端子，并且用于在所述停滯期內旁路形成于所述MOS晶體管內的PN結的寄生二極管的正向電流。
2.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述驅動電路包括：
用于根據第一控制信號來驅動所述第一MOS晶體管及所述第二MOS晶體管的第一子驅動電路；以及
用于根據第二控制信號來驅動所述第三MOS晶體管及所述第四MOS晶體管的第二子驅動電路。
3.根據權利要求2所述的半導體器件，
其中所述第一子驅動電路根據所述第一控制信號以及限定電流方向的電流方向信號來驅動所述第一旁路晶體管；并且
其中所述第二子驅動電路根據所述第二控制信號以及限定電流方向的電流方向信號來驅動所述第二旁路晶體管。
4.根據權利要求1所述的半導體器件，
其中所述第一旁路晶體管及所述第二旁路晶體管各自耦接于所述第一輸出端子及所述第二輸出端子與所述第二電壓之間；并且
其中所述半導體器件還包括第三旁路晶體管及第四旁路晶體管，所述第三旁路晶體管及所述第四旁路晶體管各自耦接于所述第一輸出端子及所述第二輸出端子與所述第一電壓之間，并且用于在停滯期內旁路形成于MOS晶體管內的PN結的寄生二極管的正向電流。
5.根據權利要求4所述的半導體器件，
其中所述驅動電路接收在所述第一旁路晶體管及所述第二旁路晶體管的使用與所述第三旁路晶體管及所述第四旁路晶體管的使用之間進行切換的切換信號。
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