[發明專利]基板處理方法

在審

• 申請號: 201310384963.1
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103681236A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 李康奭;李載明;李福圭;李龍熙;李鎮福
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

技術領域

公開于此的本發明涉及一種用于制造半導體基板的方法，尤其涉及一種基板處理方法。

背景技術

通常來說，通過在諸如硅片的基板上執行諸如照相處理、刻蝕處理、離子注入處理以及沉積處理的多種處理來制造半導體器件。

而且，在執行每種處理的同時，執行用于除去附著在基板上的不同污染物的清洗處理。清洗處理包括：通過使用化學品除去附著在基板上的污染物的化學處理過程；通過使用純水去除剩余在基板上的化學品的濕清洗處理；以及通過供給干流體（dry?fluid）干燥剩余在基板表面上的純水的干燥處理。

在過去，通過將加熱的氮氣供給剩余有純水的基板上來執行干燥處理。然而，當形成在基板上的每個圖案的線寬減小和每個圖案的高寬比增加時，難于去除存在于圖案之間的純水。目前，可以用諸如具有比純水高的揮發性和低的表面張力的異丙醇的液體有機溶劑來代替純水，并且而后可以供給加熱的氮氣以干燥基板。

發明內容

本發明提供了一種能夠提高在基板上的干燥效率的基板處理方法。

本發明還提供了一種防止基板上的圖案在基板處理過程期間傾斜的基板處理方法。

本發明的特征并不限于前述內容，而對于本領域的技術人員來說，根據該說明書和附圖可以清楚理解未在此描述的其它特征。

本發明的實施例提供了基板處理方法，其包括：通過使用化學溶液處理基板；通過使用化學溶液處理基板后，通過使用純水沖洗基板；以及通過使用有機溶劑處理基板，其中，該基板處理方法進一步包括在化學溶液處理和有機溶液處理之間用疏水膜涂覆基板。

在一些實施例中，在沖洗基板之后，執行用疏水膜涂覆基板。

在其它實施例中，基板處理方法可以進一步包括在沖洗基板和使用疏水膜涂覆基板之間，將有機溶劑供給到基板上以用有機溶劑替代在基板上的純水。

仍在其它實施例中，有機溶劑可以包括異丙醇（IPA）。

還在其它實施例中，使用疏水膜涂覆所述基板包括將包含與在基板上的圖案表面上的硅（Si）反應的基于硅氧烷的疏水化合物的水溶性涂層溶液提供到所述基板上。

還在其它實施例中，使用疏水膜涂覆基板包括將有機涂層溶液提供到所述基板上，所述有機涂層溶液是將與在基板上的圖案表面上的硅（Si）反應的基于硅氧烷的疏水化合物與有機溶劑混合。

在進一步的實施例中，該基板處理方法可以進一步包括在干燥基板后除去疏水膜。

附圖說明

附圖用以提供對本發明的進一步理解，并且將這些附圖并入說明書中且構成該說明書的一部分。附圖圖示說明了本發明的示例性實施例，其并連同附圖說明一起用于解釋本發明的原理。在附圖中：

圖1是根據實施例的基板處理裝置的平面圖；

圖2是示出根據實施例的圖1的基板清洗裝置的橫截面視圖；

圖3是示出使用圖1的基板處理裝置的基板處理方法的流程圖；以及

圖4是示出使用圖1的基板處理裝置的基板處理方法的流程圖。

具體實施方式

下面將參照附圖對本發明的優選實施例進行更加詳細地描述。然而，本發明可以不同形式體現并且不應構造成對在本文中闡述的實施例的限制。當然，提供這些實施例以使得對于本領域的技術人員來說，此公開將是全面的、完整的并且將充分地表達本發明的范圍。在附圖中，為了清楚起見，放大了元件的形狀。

圖1是根據實施例的基板處理裝置的平面圖。

參照圖1，基板處理裝置1包括分度器（index）模塊10和過程處理模塊20。分度器模塊10包括裝載端口120和轉移框架140。將裝載端口120、轉移框架140和過程處理模塊20連續地布置成一直線。在下文中，裝載端口120、轉移框架140和過程處理模塊20的布置方向被稱為第一方向12。而且，當從上側觀看時，垂直于第一方向12的方向稱為第二方向14，并且垂直于與第一方向12和第二方向14平行的平面的方向稱為第三方向16。

容納有基板的載體18位于裝載端口120上。設有多個裝載端口120。將多個裝載端口120沿第二方向14布置成一直線。裝載端口120的數量可以根據過程處理模塊20的處理效率和表面區域（foot?print）情況增加或者減少。將用于容納處于將基板布置成與地面平行的狀態下的基板的多個狹槽限定于載體18中。前開式晶圓盒（FOUP）可以用作載體18。