[發(fā)明專利]基板處理方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310384963.1 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103681236A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李康奭;李載明;李福圭;李龍熙;李鎮(zhèn)福 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 細(xì)美事有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/02 | 分類號(hào): | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 楊生平;鐘錦舜 |
| 地址: | 韓國忠清*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 處理 方法 | ||
1.一種基板處理方法,包括:
使用化學(xué)溶液處理基板;
在使用所述化學(xué)溶液處理所述基板后,使用純水沖洗所述基板;以及
使用有機(jī)溶劑處理所述基板;
其中,所述基板處理方法進(jìn)一步包括:在所述化學(xué)溶液處理和所述有機(jī)溶液處理之間用疏水膜涂覆所述基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理方法,其中,在沖洗所述基板之后,執(zhí)行用所述疏水膜涂覆所述基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法,進(jìn)一步包括通過在沖洗所述基板和用所述疏水膜涂覆所述基板之間將所述有機(jī)溶劑供給到所述基板上以用所述有機(jī)溶劑替代在所述基板上的所述純水。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理方法,其中,所述有機(jī)溶劑包括異丙醇(IPA)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法,其中,用所述疏水膜涂覆所述基板包括將水溶性涂層溶液提供到所述基板上,所述水溶性涂層溶液包含與所述基板的圖案表面上的硅(Si)反應(yīng)的基于硅氧烷的疏水化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述的基板處理方法,其中,用所述疏水膜涂覆所述基板包括將有機(jī)涂層溶液提供到所述基板上,在所述有機(jī)涂層溶液中,將與所述基板的所述圖案表面上的硅(Si)反應(yīng)的基于硅氧烷的疏水化合物與所述有機(jī)溶劑混合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任何一項(xiàng)所述的基板處理方法,進(jìn)一步包括在干燥所述基板后除去所述疏水膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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