[發(fā)明專(zhuān)利]晶體振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310383230.6
• 申請(qǐng)日: 2013-08-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103441745A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許國(guó)輝;鄺國(guó)華;陳永康;董靚;周志健;劉政諺;馮良
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 廣東合微集成電路技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/10
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/10;H03H9/02;H03H9/19
• 代理公司: 北京品源專(zhuān)利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法。

背景技術(shù)

石英晶體振蕩器是一種高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于彩電、計(jì)算機(jī)、遙控器等各類(lèi)振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā)生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號(hào)。

石英晶體振蕩器是利用石英晶體的壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件，長(zhǎng)期以來(lái)，石英晶體振蕩器都是用陶瓷來(lái)封裝的，并由日本廠商所壟斷。

陶瓷封裝的優(yōu)勢(shì)在于它的導(dǎo)熱性，高溫穩(wěn)定性，良好的平面性和平滑度。

如圖1、2、3所示，現(xiàn)有的陶瓷封裝振蕩器都是用層疊式結(jié)構(gòu)的陶瓷基座11、把集成電路12綁定或壓合到陶瓷基座11上的接點(diǎn)13，再把晶體14連接在另外較高的一層，最后才蓋上、接合金屬蓋15。

但是，陶瓷封裝振蕩器制作復(fù)雜、脆性大，容易發(fā)生碎裂，承受物理沖擊及高速移動(dòng)時(shí)受力能力差，生產(chǎn)過(guò)程中使用的設(shè)備造價(jià)高。

所以目前市場(chǎng)上急需要一種既簡(jiǎn)單，而且可以使用通用材料來(lái)制作的晶體振蕩器，解決陶瓷封裝振蕩器脆性大以及受力方面的不足，用以取代昂貴并且制作復(fù)雜的陶瓷封裝。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是：通過(guò)提供一種采用環(huán)氧樹(shù)脂化合物進(jìn)行封裝的石英晶體振蕩器及方法，解決傳統(tǒng)陶瓷封裝結(jié)構(gòu)復(fù)雜、脆性大、生產(chǎn)成本高的問(wèn)題。

為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

一種晶體振蕩器的封裝結(jié)構(gòu)，包括晶體以及集成電路裸片，所述晶體和所述集成電路裸片均固定安裝在基板的第一表面上，所述集成電路裸片通過(guò)金線綁定在所述基板上，所述基板、晶體以及集成電路裸片外部整體設(shè)置有環(huán)氧樹(shù)脂封裝層。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基板采用高耐熱基板。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基板包括位于基板第一表面的基板面層和位于基板第二表面的基板底層，所述晶體以及集成電路裸片均設(shè)置在所述基板面層上，所述基板底層設(shè)置在所述基板面層非設(shè)置有所述晶體以及集成電路裸片的一側(cè)，所述基板面層與所述基板底層之間設(shè)置有金屬屏蔽層。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述基板面層與基板底層之間還設(shè)置有基板夾層，所述基板面層與基板夾層之間設(shè)置有第一金屬屏蔽層，所述基板夾層與基板底層之間設(shè)置有第二金屬屏蔽層。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述晶體外部設(shè)置有屏蔽層。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述晶體采用表面貼裝的方式安裝在所述基板上。

一種封裝如上所述的晶體振蕩器的方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟A、提供一個(gè)基板：所述基板上至少具有由金屬引線片組成的晶體安裝電路區(qū)域以及集成電路安裝電路區(qū)域，所述電路區(qū)域的周?chē)徑又庋b區(qū)域；

步驟B、封裝晶體：將晶體封裝在屏蔽層中；

步驟C、安裝晶體：采用表面貼裝的方式將封裝好的晶體固定安裝在基板上；

步驟D、安裝集成電路：將集成電路安裝在基板上，并與基板上的金屬引線片連接；

步驟E、封裝晶體振蕩器：將晶體、集成電路和基板采用環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝，一體形成采用環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝的晶體振蕩器。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，步驟C中，采用非導(dǎo)電粘合物將晶體主體粘合在基板上，采用導(dǎo)電粘合物將晶體導(dǎo)電觸點(diǎn)粘合在金屬導(dǎo)電片上。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述步驟D具體包括：

步驟D1、固定集成電路：采用固定物料將集成電路固定在基板上；

步驟D2、綁定集成電路：打金線將集成電路綁定。

作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，封裝完成后對(duì)晶體振蕩器進(jìn)行切割。

本發(fā)明的有益效果為：采用環(huán)氧樹(shù)脂進(jìn)行封裝能夠提高振蕩器承受物理沖擊的能力，環(huán)氧樹(shù)脂封裝制作過(guò)程簡(jiǎn)單、生產(chǎn)設(shè)備造價(jià)低；振蕩器結(jié)構(gòu)能夠承受高溫，優(yōu)化信號(hào)連接減小信號(hào)失真，增加屏蔽層減小電磁干擾。

附圖說(shuō)明

下面根據(jù)附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。

圖1為現(xiàn)有陶瓷封裝晶體振蕩器結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有陶瓷封裝晶體振蕩器分解圖。

圖3為現(xiàn)有陶瓷封裝晶體振蕩器屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本發(fā)明所述環(huán)氧樹(shù)脂化合物封裝晶體振蕩器結(jié)構(gòu)示意圖。

圖5為本發(fā)明所述環(huán)氧樹(shù)脂化合物封裝晶體振蕩器分解圖。

圖6為本發(fā)明所述環(huán)氧樹(shù)脂化合物封裝晶體振蕩器屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖。

圖7為本發(fā)明所述封裝方法流程圖。

圖1～3中：