[發(fā)明專利]排列用掩模無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310383108.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-29 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103839843A | 公開(公告)日: | 2014-06-04 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小林良弘;田丸裕仁 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 日立麥克賽爾株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/60 | 分類號(hào): | H01L21/60;H05K3/34 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243 | 代理人: | 張敬強(qiáng);嚴(yán)星鐵 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 排列 用掩模 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種用于形成焊錫凸塊的排列用掩模。
背景技術(shù)
作為形成焊錫凸塊的方法,已知有將焊錫球搭載在工件上的方法,使用具有與工件的電極的排列圖形對(duì)應(yīng)、并且焊錫球能夠插通的開口的排列用掩模搭載焊錫球后,通過回流使焊錫球熔融。作為該排列用掩模,公開有專利文獻(xiàn)1以及2,排列用掩模的開口形狀形成為圓形狀,其直徑尺寸D大于焊錫球直徑尺寸d(D=1.2~1.3d)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:日本特開2006-287215號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:日本特開2006-324618號(hào)公報(bào)
但是,近年來隨著電子設(shè)備的小型化,工件中電極的間距存在狹小化趨勢(shì),從而更加要求焊錫球搭載于電極的中央位置。但是,由于排列用掩模的開口為圓形狀,該開口的直徑尺寸D形成為相對(duì)于焊錫球的直徑尺寸d為1.2~1.3倍,所以即使特意使開口的中心與電極的中心對(duì)位,開口內(nèi)搭載的焊錫球也容易產(chǎn)生距離電極的中心位置為開口直徑尺寸D與焊錫球直徑尺寸d的差量的位置偏差,不能使所有的焊錫球搭載在各電極的中心。由此,理想的情形是使排列用掩模的開口直徑尺寸D形成為稍大于焊錫球的直徑尺寸d,也就是使開口直徑尺寸D與焊錫球直徑尺寸d無限接近(D≒d),但是那樣的話,在使焊錫球插通開口時(shí),焊錫球與開口端接觸的部分(面)增加,所以接觸阻力增加,導(dǎo)致難以將焊錫球插通開口。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供能夠解決上述課題的排列用掩模。
本發(fā)明為一種排列用掩模,具備與預(yù)定的排列圖形對(duì)應(yīng)的開口,通過在開口內(nèi)撒入焊錫球,將焊錫球搭載在工件上的預(yù)定位置,該排列用掩模的特征在于,開口為多角形狀。該開口優(yōu)選為四角形狀。
另外,本發(fā)明的特征在于,開口尺寸為焊錫球直徑尺寸的1.01倍以上且不足1.2倍。
并且,本發(fā)明的特征在于,開口具有第一開口和第二開口,第一開口形成為多角形狀,第二開口形成為圓形狀。
本發(fā)明的效果如下。
根據(jù)本發(fā)明涉及的排列用掩模,由于與預(yù)定的排列圖形對(duì)應(yīng)的開口為多角形狀,所以相比圓形狀,能夠減少開口端部中與焊錫球接觸的部分(點(diǎn)接觸、線接觸、面接觸),能夠使焊錫球易于向開口內(nèi)插通。
附圖說明
圖1是表示本發(fā)明涉及的排列用掩模與工件的整體結(jié)構(gòu)的立體圖。
圖2是示意性地表示本發(fā)明涉及的排列用掩模的縱剖側(cè)視圖。
圖3是示意性地表示本發(fā)明涉及的另一排列用掩模的縱剖側(cè)視圖。
圖4是表示本發(fā)明涉及的排列用掩模的俯視圖。
圖5是本發(fā)明涉及的排列用掩模的制造方法的說明圖。
圖6是本發(fā)明涉及的排列用掩模的制造方法的說明圖。
圖7是表示本發(fā)明涉及的又一排列用掩模的縱剖側(cè)視模式圖。
圖8是本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的排列用掩模的說明圖。
圖9是本發(fā)明第一實(shí)施方式涉及的另一排列用掩模的局部俯視圖。
圖10是本發(fā)明第二實(shí)施方式涉及的排列用掩模的局部縱剖側(cè)視圖。
圖中:
1—排列用掩模(掩模),2—焊錫球,3—工件,6—電極,10—掩模主體,12—開口,12a—第一開口,12b—第二開口,15—突起部,15a—突起部,15b—突起部,30—母模,31—光致抗蝕劑層,34—一次圖形抗蝕劑,35—一次電鑄層,36—光致抗蝕劑層,38—二次圖形抗蝕劑,39—二次電鑄層。
具體實(shí)施方式
(排列用掩模的概要)
圖1至圖3表示本發(fā)明涉及的排列用掩模。該排列用掩模(以下有時(shí)僅表述為掩模)1用于在形成焊錫凸塊時(shí)的焊錫球2排列工序中使用。圖2中的符號(hào)3表示由掩模1排列焊錫球2的作為搭載對(duì)象的工件。該工件3具有剛性、柔性各種類型,具體為晶圓、基板,例如在玻璃環(huán)氧基板的基座4上搭載多個(gè)半導(dǎo)體芯片5,通過引線接合進(jìn)行布線后進(jìn)行傳遞模封裝得到,在工件3的上表面,作為輸入輸出端子的電極6形成為包圍半導(dǎo)體芯片5的預(yù)定圖形。而且,工件3在凸塊形成后被切斷為單體,成為單個(gè)的LSI芯片。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





