[發明專利]半導體封裝方法無效
| 申請號: | 201310382962.3 | 申請日: | 2013-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN103456649A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 張童龍;沈海軍;張衛紅;洪勝平;周鋒;嚴小龍;盧海倫 | 申請(專利權)人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
| 地址: | 226006 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 半導體 封裝 方法 | ||
技術領域
本發明涉及半導體件制造技術方法領域,尤其是半導體封裝方法。
背景技術
在傳統的芯片封裝過程中,非導電膠在流動擠壓中容易導致氣泡的產生,氣泡會影響上膠量,尤其在膠的表面如果存在氣泡,使膠的有效粘接面積減少,從而影響粘接的牢固程度,降低了產品的可靠性。
發明內容
在下文中給出關于本發明的簡要概述,以便提供關于本發明的某些方面的基本理解。應當理解,這個概述并不是關于本發明的窮舉性概述。它并不是意圖確定本發明的關鍵或重要部分,也不是意圖限定本發明的范圍。其目的僅僅是以簡化的形式給出某些概念,以此作為稍后論述的更詳細描述的前序。
本發明的目的在于提供一種半導體封裝方法,消除或減少其在芯片和基板之間的氣泡,以提高產品可靠性。
為實現上述目的,本發明提供的一種半導體封裝方法,包括:步驟1,將非導電膠涂敷基板上;步驟2,對涂敷有所述非導電膠的基板加熱;步驟3,將芯片焊接到加熱的所述基板上。
相比于現有技術,本發明的有益效果為:對基板的加熱,涂敷于基板上的非導電膠受熱,保證在芯片和基板焊接時,處于二者之間的非導電膠中氣泡能夠消除或減少,從而提高產品的可靠性。
附圖說明
參照下面結合附圖對本發明實施例的說明,會更加容易地理解本發明的以上和其它目的、特點和優點。附圖中的部件只是為了示出本發明的原理。在附圖中,相同的或類似的技術特征或部件將采用相同或類似的附圖標記來表示。
圖1為本發明導體封裝方法的流程示意圖。
圖2為本發明對基板加熱的示意圖。
具體實施方式
下面參照附圖來說明本發明的實施例。在本發明的一個附圖或一種實施方式中描述的元素和特征可以與一個或更多個其它附圖或實施方式中示出的元素和特征相結合。應當注意,為了清楚的目的,附圖和說明中省略了與本發明無關的、本領域普通技術人員已知的部件和處理的表示和描述。
參見圖1和2,本發明提供一種半導體封裝方法,包括步驟1(S1),將非導電膠(NCP)涂敷基板402上;步驟2(S2),對涂敷有非導電膠403的基板402加熱;步驟3(S3),將芯片焊接到加熱的基板402上。
通過加熱平臺對基板402的加熱,涂敷于基板402上的非導電膠403受熱,能夠保證在芯片和基板402焊接時,處于二者之間的非導電膠403中氣泡能夠消除或減少,從而提高產品的可靠性。
進一步,為了實現上述芯片與基板402的焊接,在芯片上形成有用于焊接的凸點,在基板402上形成焊盤,凸點和焊盤可選的一一對應,以實現焊接。
在本發明的實施例中,焊接方式可選的為熱壓焊(TCB)方式。
在一種可選的實施方式中,對涂敷有非導電膠403的基板402加熱時間在1-600分鐘,加熱溫度在90-200攝氏度。應該理解,對基板402加熱的目的是加熱涂敷于其上的非導電膠403,從而達到非導電膠403的粘度增加,并消除或減少在芯片與基板402焊接時非導電膠403中氣泡的效果,加熱的時間和溫度是為了使上述效果能夠更好,因此,上述的加熱時間和溫度并不用于限制本發明,其它溫度和時間,只要能夠保證非導電膠403達到預期效果就可以適用于本發明。參見圖2,同樣為了保證非導電膠403的效果,將涂敷有非導電膠403的基板402,放置于加熱平臺401均勻加熱,使非導電膠403受熱均勻。非導電膠403受熱均勻,能夠保證非導電膠內各部分的氣泡均因受熱而減少或消除,保證非導電膠整體的的氣泡減少或消除,因此還能提高了非導電膠的粘度。
另外,非導電膠403可以涂滿所述基板402、也可以只涂敷與基板402的焊盤上,或者以其他需要的方式涂敷,以滿足不同的焊接需求。
繼續參見圖2,本發明的半導體封裝方法,還包括步驟4(S4),對上述非導電膠固化成型;步驟5(S5),對封裝在一起的半導體和基板402進行激光打印、植球、切割、包裝中至少一種后續工序。上述對非導電膠固化成型的方式很多,如降溫、紫外線照射等方法,當然,使非導電膠靜置自然固化也可以。為了產品的可靠性更高,等非導電膠固化后再進行后續工序。
下面,完整的描述本發明半導體封裝方法:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





