[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310382962.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-08-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103456649A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張童龍;沈海軍;張衛(wèi)紅;洪勝平;周鋒;嚴(yán)小龍;盧海倫 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 南通富士通微電子股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/56 | 分類號(hào): | H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠(yuǎn)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 孟阿妮 |
| 地址: | 226006 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 封裝 方法 | ||
1.一種半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,包括:?
步驟1,將非導(dǎo)電膠涂敷于基板上;?
步驟2,對(duì)涂敷有所述非導(dǎo)電膠的基板加熱;?
步驟3,將芯片焊接到加熱的所述基板上。?
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
對(duì)所述涂敷有非導(dǎo)電膠的基板加熱時(shí)間在1-600分鐘。?
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
對(duì)所述涂敷有非導(dǎo)電膠的基板加熱溫度在90-200攝氏度。?
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
還包括:步驟4,對(duì)上述非導(dǎo)電膠固化成型。?
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
還包括:步驟5,對(duì)焊接封裝在一起的所述半導(dǎo)體和基板進(jìn)行激光打印、植球、切割、包裝中至少一種后續(xù)工序。?
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
所述涂敷有非導(dǎo)電膠的基板,放置于加熱平臺(tái)均勻加熱。?
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
在所述基板上形成有焊盤,在所述芯片上形成有凸點(diǎn);?
焊接時(shí),所述焊盤和所述凸點(diǎn)彼此相對(duì),作為焊接點(diǎn)。?
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
采用熱壓焊將所述芯片焊接到所述基板。?
9.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝方法,其特征在于,?
所述非導(dǎo)電膠涂滿所述基板。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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