[發明專利]用于MEMS的雙面微加工方法和MEMS器件有效
| 申請號: | 201310382203.7 | 申請日: | 2013-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN104418295A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發明(設計)人: | 荊二榮;夏長奉 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤上華半導體有限公司 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司: | 北京市磐華律師事務所 11336 | 代理人: | 徐丁峰;付偉佳 |
| 地址: | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 mems 雙面 加工 方法 器件 | ||
技術領域
本發明涉及MEMS(Micro?Electro?Mechanical?Systems)領域,具體地,涉及一種用于MEMS的雙面微加工方法和MEMS器件。
背景技術
MEMS雙面微加工技術是一種重要的微加工技術。目前,當需要在襯底的正、反兩面都制作圖形時,一般使用雙面光刻機。然而,雙面光刻機采用接近式和接觸式曝光,即用光學系統將圖形以1:1投射到襯底上,需要掩模板的尺寸與襯底相同,掩模板上的圖形尺寸和位置也必須與實際情況完全一樣,這使得這種方法的套準精度和特征線寬都比較差,一般套準精度為2-3微米,特征線寬大于3微米。同時,雙面光刻采用手動式對位,容易受操作人員的人為因數(操作熟練程度等)影響,進而影響生產的穩定性和產能。而目前的步進光刻機雖然特征線寬和套準精度都較好,但是卻不能進行雙面光刻,因此對于襯底正、反兩面都需要制作圖形,步進光刻機具有一定局限性。
因此,有必要提供一種用于MEMS的雙面微加工方法和通過該方法制作的MEMS器件,以解決現有技術中的問題。
發明內容
根據本發明的一個方面,提供一種用于MEMS的雙面微加工方法。所述方法包括:步驟1:在襯底的第一表面上制作用于雙面光刻機的第一對位標記,并制作第一圖形;步驟2:利用用于雙面光刻機的所述第一對位標記在所述襯底的與所述第一表面相對的第二表面制作用于雙面光刻機的第二對位標記;以及步驟3:在所述第二表面上制作第二圖形,其中,在所述步驟1和/或所述步驟2中還包括相應地在所述第一表面和/或所述第二表面上還形成用于步進光刻機的第三對位標記和/或第四對位標記,以采用步進式光刻機制作相應的所述第一圖形和/或所述第二圖形。
優選地,在所述步驟1中包括采用步進光刻機在所述第一表面上制作用于步進光刻機的所述第三對位標記和用于雙面光刻機的所述第一對位標記,并采用所述步進光刻機利用所述第三對位標記在所述第一表面上制作所述第一圖形。
進一步優選地,在所述步驟3中包括采用雙面光刻機利用所述第二對位標記在所述第二表面制作所述第二圖形。
進一步優選地,在所述步驟2中利用雙面光刻機在所述第二表面上僅制作用于雙面光刻機的所述第二對位標記。
優選地,在所述步驟1中包括采用雙面光刻機在所述第一表面制作用于雙面光刻機的所述第一對位標記,并利用所述第一對位標記制作所述第一圖形。
優選地,在所述步驟2中包括采用雙面光刻機在所述第二表面制作用于步進光刻機的所述第四對位標記和用于雙面光刻機的所述第二對位標記。
優選地,在所述步驟3中包括采用步進光刻機利用所述第四對位標記在所述第二表面制作所述第二圖形。
優選地,所述襯底包括半導體襯底和玻璃。
根據本發明的另一個方面,還提供一種MEMS器件。所述器件包括:襯底,所述襯底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面;第一圖形和第二圖形,所述第一圖形形成在所述第一表面上,且所述第二圖形形成在所述第二表面上;用于雙面光刻機的第一對位標記和第二對位標記,所述第一對位標記形成在所述第一表面上,且所述第二對位標記形成在所述第二表面上;用于步進光刻機的對位標記,其形成在所述第一表面和/或所述第二表面上,以相應地采用所述步進光刻機制作所述第一圖形和/或所述第二圖形。
根據本發明的根據本發明的用于MEMS的雙面微加工方法采用雙面光刻機和步進光刻機相結合,大大提高了雙面微加工的特征線寬和套準精度。同時大大減少了人為因素的影響,提高了生產的穩定性。
在發明內容中引入了一系列簡化形式的概念,這將在具體實施方式部分中進一步詳細說明。本發明內容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護的技術方案的關鍵特征和必要技術特征,更不意味著試圖確定所要求保護的技術方案的保護范圍。
以下結合附圖,詳細說明本發明的優點和特征。
附圖說明
本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附圖中示出了本發明的實施方式及其描述,用來解釋本發明的原理。在附圖中,
圖1為根據本發明一個實施例的雙面微加工方法的流程示意圖;
圖2-圖4分別為根據圖1中示出的雙面微加工方法在各個階段形成的器件的結構示意圖;
圖5為根據本發明另一個實施例的雙面微加工方法的流程示意圖;
圖6-圖8分別為根據圖5中示出的雙面微加工方法在各個階段形成的器件的結構示意圖;
圖9為根據本發明又一個實施例的雙面微加工方法的流程示意圖;以及
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