[發(fā)明專利]用于MEMS的雙面微加工方法和MEMS器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310382203.7 | 申請日： | 2013-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN104418295A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 荊二榮;夏長奉 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐華律師事務(wù)所 11336 | 代理人： | 徐丁峰;付偉佳 |
| 地址： | 214028 江蘇省無*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 mems 雙面 加工 方法 器件 | ||
1.一種用于MEMS的雙面微加工方法，其特征在于，所述方法包括：
步驟1：在襯底的第一表面上制作用于雙面光刻機(jī)的第一對位標(biāo)記，并制作第一圖形；
步驟2：利用用于雙面光刻機(jī)的所述第一對位標(biāo)記在所述襯底的與所述第一表面相對的第二表面制作用于雙面光刻機(jī)的第二對位標(biāo)記；以及
步驟3：在所述第二表面上制作第二圖形，
其中，在所述步驟1和/或所述步驟2中還包括相應(yīng)地在所述第一表面和/或所述第二表面上還形成用于步進(jìn)光刻機(jī)的第三對位標(biāo)記和/或第四對位標(biāo)記，以采用步進(jìn)式光刻機(jī)制作相應(yīng)的所述第一圖形和/或所述第二圖形。
2.如權(quán)利要求1所述的雙面微加工方法，其特征在于，在所述步驟1中包括采用步進(jìn)光刻機(jī)在所述第一表面上制作用于步進(jìn)光刻機(jī)的所述第三對位標(biāo)記和用于雙面光刻機(jī)的所述第一對位標(biāo)記，并采用所述步進(jìn)光刻機(jī)利用所述第三對位標(biāo)記在所述第一表面上制作所述第一圖形。
3.如權(quán)利要求2所述的雙面微加工方法，其特征在于，在所述步驟3中包括采用雙面光刻機(jī)利用所述第二對位標(biāo)記在所述第二表面制作所述第二圖形。
4.如權(quán)利要求3所述的雙面微加工方法，其特征在于，在所述步驟2中利用雙面光刻機(jī)在所述第二表面上僅制作用于雙面光刻機(jī)的所述第二對位標(biāo)記。
5.如權(quán)利要求1所述的雙面微加工方法，其特征在于，在所述步驟1中包括采用雙面光刻機(jī)在所述第一表面制作用于雙面光刻機(jī)的所述第一對位標(biāo)記，并利用所述第一對位標(biāo)記制作所述第一圖形。
6.如權(quán)利要求2或5所述的雙面微加工方法，其特征在于，在所述步驟2中包括采用雙面光刻機(jī)在所述第二表面制作用于步進(jìn)光刻機(jī)的所述第四對位標(biāo)記和用于雙面光刻機(jī)的所述第二對位標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求6所述的雙面微加工方法，其特征在于，在所述步驟3中包括采用步進(jìn)光刻機(jī)利用所述第四對位標(biāo)記在所述第二表面制作所述第二圖形。
8.如權(quán)利要求1所述的雙面微加工方法，其特征在于，所述襯底包括半導(dǎo)體襯底和玻璃。
9.一種MEMS器件，其特征在于，所述器件包括：
襯底，所述襯底包括第一表面和與所述第一表面相對的第二表面；
第一圖形和第二圖形，所述第一圖形形成在所述第一表面上，且所述第二圖形形成在所述第二表面上；
用于雙面光刻機(jī)的第一對位標(biāo)記和第二對位標(biāo)記，所述第一對位標(biāo)記形成在所述第一表面上，且所述第二對位標(biāo)記形成在所述第二表面上；
用于步進(jìn)光刻機(jī)的對位標(biāo)記，其形成在所述第一表面和/或所述第二表面上，以相應(yīng)地采用所述步進(jìn)光刻機(jī)制作所述第一圖形和/或所述第二圖形。
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