[發(fā)明專利]用于處理基板的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310381568.8
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN103681410A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 金炯俊;盧載旻
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 楊生平;鐘錦舜

技術領域

本文中公開的本發(fā)明涉及一種用于處理基板的裝置，并且更具體而言涉及一種使用等離子體的基板處理裝置。

背景技術

為了制造半導體器件，執(zhí)行例如光刻工藝、蝕刻工藝、灰化工藝、離子注入工藝、薄膜沉積工藝、清洗工藝等多種工藝以在基板上形成期望的圖案。在這些工藝中，蝕刻工藝移除了從形成于基板上的層中所選的區(qū)域。蝕刻工藝可以包括濕法（wet）蝕刻工藝和干法（dry）蝕刻工藝。

在這些中，使用等離子體的蝕刻裝置用于干法蝕刻工藝。通常，為了生成等離子體，在室的內部空間中引起電磁場，并且該電磁場將室中提供的處理氣體激發(fā)為等離子體態(tài)。

等離子體代表由離子、電子以及原子團構成的氣體的電離狀態(tài)。在高溫處或者由強電場或者射頻（Radio?Frequency）電磁場產生等離子體。在半導體器件制造工藝中，通過使用等離子體執(zhí)行蝕刻工藝。通過允許包含在等離子體中的離子微粒撞擊基板來執(zhí)行蝕刻工藝。

通常，在基板處理工藝期間，由于等離子體，物理沖擊可以發(fā)生在室中。具體說，在基板處理工藝期間，介電組件在強度上也許是弱的而引起裂縫。另外，因為室內部由于等離子體的產生而溫度突然變化，所以可能會損壞介電組件。此外，在基板處理工藝之后，當化學清洗介電組件時由于清洗液而造成該介電組件可能會被損壞。

發(fā)明內容

本發(fā)明提供了一種包括在使用等離子體的基板處理工藝中具有良好強度和耐熱性的介電組件的基板處理裝置。

本發(fā)明還提供了一種包括具有良好耐化學性并且在基板處理工藝之后在清洗期間防止由于清洗液而損壞的介電組件的基板處理裝置。

本發(fā)明實施例提供了基板處理裝置，包括：其內具有處理空間的室；設置在該室內用以支撐該基板的支撐構件；將氣體供應到該室中的氣體供應單元；以及設置在該室上部的等離子體源，該等離子體源包括從供應到室中的氣體產生等離子體的天線，其中，該室包括：殼體，該殼體具有開口的頂面，該殼體內具有處理空間；以及覆蓋該殼體的開口的頂面的電介質材料組件，并且其中該電介質材料組件包括電介質材料窗口和具有比電介質材料窗口的強度更大的強度的加強膜。

在一些實施例中，可以將加強膜附接到電介質材料窗口的頂面。

在其他實施例中，可以以多層來提供加強膜。

在另其他實施例中，該多層的至少一層可以由硅材料形成

在另其他實施例中，電介質材料組件可以進一步包括加熱該電介質材料窗口的加熱層。

在另其他實施例中，該加熱層可以設置在該電介質材料窗口的上面。

在進一步的實施例中，加熱層可以設置在該加強膜上，并且該加強膜可以設置在該電介質窗口上。

在進一步的實施例中，電介質材料組件可以進一步包括具有圍繞該電介質材料組件的頂面和該電介質材料組件的側表面的形狀的涂覆膜。

在又進一步的實施例中，涂覆膜可以包括聚四氟乙烯（Teflon）。

附圖說明

為提供進一步對于本發(fā)明的理解而引入附圖，以及并入所述附圖并構成本說明書的一部分。附圖闡述了本發(fā)明的示例性實施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中：

圖1是根據本發(fā)明實施例的基板處理裝置的剖視圖；

圖2是圖1的介電組件的分解透視圖；

圖3是闡述圖2的介電組件的示例的剖視圖；

圖4是闡述圖3的介電組件的改進的示例的剖視圖；以及

圖5是闡述圖3的介電組件的另一個改進的示例的剖視圖。

具體實施方式

然而，本發(fā)明可以以不同的方式來體現(xiàn)并且本發(fā)明不應構造為限制本文提出的實施例。相反，提供這些實施例以便這種公開將會是徹底的和全部的，并且完全地將本發(fā)明的范圍傳達給本領域的技術人員。在附圖中，為了清楚的目的而夸大了層和區(qū)域的厚度。

以下將會闡述一種根據本發(fā)明實施例的使用等離子體蝕刻基板的基板處理裝置。然而，本發(fā)明并不限于此。例如，本發(fā)明可以應用到能夠執(zhí)行將等離子體供應到室中的工藝的多種裝置中。

圖1是根據本發(fā)明實施例的基板處理裝置的剖視圖。

參考圖1，基板處理裝置10通過使用等離子體來處理基板W。例如，該基板處理裝置10可以在基板W上執(zhí)行蝕刻工藝。基板處理裝置10包括室100、支撐構件200、氣體供應單元300、等離子體源400、以及隔板單元500。

室100提供在其內執(zhí)行基板處理工藝的空間。室100可以包括殼體110、電介質材料組件120以及襯板130。