[發明專利]用于處理基板的裝置有效
| 申請號： | 201310381568.8 | 申請日： | 2013-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN103681410A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 金炯俊;盧載旻 | 申請（專利權）人： | 細美事有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 楊生平;鐘錦舜 |
| 地址： | 韓國忠清*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 處理 裝置 | ||
1.一種基板處理裝置，包括：
其內具有處理空間的室；
設置在所述室中用以支撐所述基板的支撐構件；
將氣體供應到所述室中的氣體供應單元；以及
設置在所述室上部的等離子體源，所述等離子體源包括從供應到所述室中的所述氣體產生等離子體的天線；
其中，所述室包括：
具有開口的頂面的殼體，所述殼體內具有處理空間；以及
覆蓋了所述殼體的開口的頂面的電介質材料組件，并且
其中所述電介質材料組件包括電介質材料窗口和具有比所述電介質材料窗口的強度更大的強度的加強膜。
2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，將所述加強膜附接到所述電介質材料窗口的頂面。
3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其中，以多層來提供所述加強膜。
4.根據權利要求3所述的基板處理裝置，其中，所述多層的至少一層由硅材料形成。
5.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述電介質材料組件進一步包括加熱所述電介質材料窗口的加熱層。
6.根據權利要求5所述的基板處理裝置，其中，所述加熱層設置在所述電介質材料窗口的上面。
7.根據權利要求6所述的基板處理裝置，其中，所述加熱層設置在所述加強膜上，以及
所述加強膜設置在所述電介質材料窗口上。
8.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其中，所述電介質材料組件進一步包括具有圍繞所述電介質材料組件的頂面和所述電介質材料組件的側表面的形狀的涂覆膜。
9.根據權利要求8所述的基板處理裝置，其中，所述涂覆膜包括聚四氟乙烯。
10.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其中，所述電介質材料組件進一步包括具有圍繞所述電介質材料組件的頂面和所述電介質材料組件的側表面的形狀的涂覆膜，
其中，所述涂覆膜包括聚四氟乙烯。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
