[發明專利]一種薄膜及其制備方法、發光顯示器件

有效

• 申請號: 201310381468.5
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN103500804A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 王祖強;劉政
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本發明涉及平板顯示器制造技術領域，尤其涉及一種薄膜及其制備方法、發光顯示器件。

背景技術

有機電致發光顯示器件（Organic?Light?Emitting?Diode，OLED）是一種利用電流驅動有機半導體薄膜發光的器件，其結構屬于夾層式結構，通常由陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發光層、電子傳輸層和陰極等組成。在外電場的作用下，電子和電空穴被注入至有機發光層，然后在發光層內復合后形成激子，由激子輻射衰減而發光。由于OLED具有高對比度、高亮度、自發光、寬色域和輕薄有等特點，被視為比較具有發展前景的一代顯示技術。

OLED按照出光方向可分為底發射結構（底部出光）和頂發射結構(頂部出光)。底發射OLED器件的透明陽極位于透明襯底上面，透明陽極上是多層有機薄膜層，有機薄膜層上面是全反射金屬或合金陰極，光線透過陽極從襯底方向發射出。頂發射OLED器件，其陽極用的是全反射金屬，頂部陰極是很薄的半透明金屬或合金薄膜，光線從頂部陰極發射出。

在OLED器件的制造工藝中，包括多種薄膜制備工藝，例如底發射結構發光顯示器件的陽極薄膜工藝，又例如發光顯示器件的陰極薄膜工藝。但是存在的主要問題是，目前的成膜工藝容易產生微針孔（pin-hole），尤其是沉積陽極薄膜或陰極薄膜中的各超薄膜層（小于100埃的薄膜）時，出現微針孔的概率非常高，當該薄膜用于發光顯示器件，將降低器件的穩定性和發光效率。

發明內容

本發明的目的是提供一種薄膜及其制備方法、發光顯示器件，以解決現有工藝制備的薄膜的微針孔較多，用于顯示器的發光顯示器件時，影響器件穩定性的發光效率的問題。

本發明的目的是通過以下技術方案實現的：

本發明實施例提供一種薄膜，包括形成于基板之上的第一膜層，以及形成于所述第一膜層與所述基板之間且與所述第一膜層直接接觸的第二膜層；與所述第一膜層接觸的所述第二膜層的表面經過活化處理。

優選的，所述薄膜還包括第三膜層，所述第三膜層形成于所述基板與所述第二膜層之間，且與所述第二膜層直接接觸。

優選的，所述薄膜還包括過渡層，所述過渡層形成于所述基板與所述第三膜層之間，與所述第三膜層直接接觸的所述過渡層的表面經過活化處理。

優選的，所述第一膜層的材質為透明導電氧化物，所述透明導電氧化物為氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化鋅鋁中的任意一種，所述第二膜層的材質為金、銀、銅、鋁和銀合金中的任意一種。

優選的，所述第一膜層的厚度為5～15納米，所述第二膜層的厚度為80～150納米。

優選的，所述第三膜層的材質為透明導電氧化物，所述透明導電氧化物為氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化鋅鋁中的任意一種。

優選的，所述第三膜層的厚度為5～15納米。

本發明實施例有益效果如下：由于與第一膜層接觸的第二膜層的表面經過活化處理，其表面能增加，在此基礎上形成超薄的第一膜層時，使第一膜層具有較高的致密性，減小了第一膜層產生微針孔的概率。

本發明實施例提供一種發光顯示器件，包括如上所述的薄膜，所述發光顯示器件為頂發射結構，所述薄膜為陽極薄膜或陰極薄膜；或者，所述發光顯示器件為底發射結構，所述薄膜為陰極薄膜。

本發明實施例有益效果如下：由于與第一膜層接觸的第二膜層的表面經過活化處理，其表面能增加，在此基礎上形成超薄的第一膜層時，提高了薄膜的超薄膜層的致密性，產生微針孔的概率較??；該薄膜應用于發光顯示器件時，能夠提高器件的穩定性和發光效率。

本發明實施例提供一種薄膜的制備方法，所述薄膜包括形成于基板之上的第一膜層，以及形成于所述第一膜層與所述基板之間且與所述第一膜層直接接觸的第二膜層；方法包括形成所述第一膜層的步驟和形成所述第二膜層的步驟，以及形成所述第一膜層前，對所述第二膜層的表面進行活化處理的步驟。

優選的，所述對所述第二膜層的表面進行活化處理，包括：

用氦離子、氖離子、氬離子、氪離子、氙離子和氡離子中的任意一種離子的等離子體轟擊所述第二膜層的表面。

優選的，用等離子體轟擊所述第二膜層的表面的頻率為13.56MHz，轟擊時間為60秒～300秒。

優選的，在形成所述第二膜層前，還包括在所述基板形成第三膜層的步驟，所述第三膜層與后續形成的所述第二膜層直接接觸。

優選的，在形成所述第三膜層前，還包括在所述基板上形成過渡層以及對所述過渡層的表面進行活化處理的步驟，所述過渡層與后續形成的所述第三膜層直接接觸。