[發明專利]一種薄膜及其制備方法、發光顯示器件

有效

• 申請號: 201310381468.5
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN103500804A
• 公開（公告）日: 2014-01-08
• 發明（設計）人: 王祖強;劉政
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜，包括形成于基板之上的第一膜層，以及形成于所述第一膜層與所述基板之間且與所述第一膜層直接接觸的第二膜層；其特征在于，與所述第一膜層接觸的所述第二膜層的表面經過活化處理。

2.如權利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜還包括第三膜層，所述第三膜層形成于所述基板與所述第二膜層之間，且與所述第二膜層直接接觸。

3.如權利要求2所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜還包括過渡層，所述過渡層形成于所述基板與所述第三膜層之間，與所述第三膜層直接接觸的所述過渡層的表面經過活化處理。

4.如權利要求1至3任一項所述的薄膜，其特征在于，所述第一膜層的材質為透明導電氧化物，所述透明導電氧化物為氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化鋅鋁中的任意一種，所述第二膜層的材質為金、銀、銅、鋁和銀合金中的任意一種。

5.如權利要求4所述的薄膜，其特征在于，所述第一膜層的厚度為5～15納米，所述第二膜層的厚度為80～150納米。

6.如權利要求2或3所述的薄膜，其特征在于，所述第三膜層的材質為透明導電氧化物，所述透明導電氧化物為氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化鋅鋁中的任意一種。

7.如權利要求6所述的薄膜，其特征在于，所述第三膜層的厚度為5～15納米。

8.一種發光顯示器件，其特征在于，包括如權利要求1至7任一項所述的薄膜，所述發光顯示器件為頂發射結構，所述薄膜為陽極薄膜或陰極薄膜；或者，所述發光顯示器件為底發射結構，所述薄膜為陰極薄膜。

9.一種薄膜的制備方法，所述薄膜包括形成于基板之上的第一膜層，以及形成于所述第一膜層與所述基板之間且與所述第一膜層直接接觸的第二膜層；其特征在于，制備方法包括：形成所述第一膜層前，對所述第二膜層的表面進行活化處理。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述對所述第二膜層的表面進行活化處理，包括：

用氦離子、氖離子、氬離子、氪離子、氙離子和氡離子中的任意一種離子的等離子體轟擊所述第二膜層的表面。

11.如權利要求10所述的方法，其特征在于，用等離子體轟擊所述第二膜層的表面的頻率為13.56MHz，轟擊時間為60秒～300秒。

12.如權利要求9至11任一項所述的方法，其特征在于，在形成所述第二膜層前，還包括在所述基板形成第三膜層的步驟，所述第三膜層與后續形成的所述第二膜層直接接觸。

13.如權利要求12所述的方法，其特征在于，在形成所述第三膜層前，還包括在所述基板上形成過渡層以及對所述過渡層的表面進行活化處理的步驟，所述過渡層與后續形成的所述第三膜層直接接觸。

14.如權利要求13所述的方法，其特征在于，所述對所述過渡層的表面進行活化處理的，包括：

清洗所述過渡層的表面，用氫離子、氧離子和氬離子中的任意一種等離子體轟擊所述過渡層的表面。