[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310379522.2
• 申請(qǐng)日: 2013-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN103633197A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 權(quán)五敏;元鐘學(xué);徐憲真
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/00
• 分類號(hào): H01L33/00;H01L33/36;H01L33/54;H01L33/12;H01L33/38;H01L33/58
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李玉鎖;張?jiān)≡?/td>

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)施例涉及一種發(fā)光裝置。

背景技術(shù)

發(fā)光二極管（LEDs）是將電能轉(zhuǎn)換成光能而產(chǎn)生光的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。

由于發(fā)光二極管可以獲得高亮度的光并且可以具有半永久的壽命，發(fā)光二極管已經(jīng)廣泛用作顯示器、交通工具或照明裝置（lighting?device）的光源。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)施提供了能夠降低驅(qū)動(dòng)電壓以減少能耗的發(fā)光裝置。

本實(shí)施例提供了能夠提高光強(qiáng)和發(fā)光效率的發(fā)光裝置。

本實(shí)施例提供了能夠提高光提取效率的發(fā)光裝置。

根據(jù)實(shí)施例，提供一種發(fā)光裝置，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、有源層、第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；電極層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)上；以及接觸層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)與電極層之間，且包括氮化物半導(dǎo)體層。

根據(jù)實(shí)施例，提供一種發(fā)光裝置，包括：襯底；發(fā)光結(jié)構(gòu)，位于襯底上，并至少包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；電極層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)上；以及接觸層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)和電極層之間，且包括氮化物半導(dǎo)體層。接觸層部分地形成在第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層上。

根據(jù)實(shí)施例，提供一種發(fā)光裝置，包括：發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；接觸層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)上包括氮化物半導(dǎo)體層；電極層，位于發(fā)光結(jié)構(gòu)上；以及凹-凸結(jié)構(gòu)，位于接觸層與電極層之間。

附圖說明

圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電壓的變化的曲線圖。

圖3是示出根據(jù)第一實(shí)施例的光功率（optical?power）的變化的柱狀圖。

圖4是示出光功率根據(jù)接觸層的厚度和接觸層的生長(zhǎng)溫度而變化的曲線圖。

圖5是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖6是示出圖5的電極層的一種形狀的俯視圖。

圖7是示出圖5的電極層的另一形狀的俯視圖。

圖8是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖9是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖10是示出根據(jù)第五實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖11是示出根據(jù)第六實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖12是示出根據(jù)第七實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

圖13是示出根據(jù)第一實(shí)施例的側(cè)向型（lateral-type）發(fā)光裝置的剖視圖。

具體實(shí)施方式

在實(shí)施例接下來的描述中，將會(huì)理解的是，當(dāng)層膜、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)被稱為在另一襯底、層膜、區(qū)域、墊或圖案“上”或“下”時(shí)，其能夠“直接”或“間接”在另一襯底、層膜、區(qū)域、墊或圖案上，或者一個(gè)或多個(gè)中間層也可以存在。將參考附圖描述這樣的每一層的位置。

下文中，將參考附圖描述實(shí)施例。為方便或清楚的目的，附圖中示出的每層膜的厚度和尺寸可以被擴(kuò)大、省略或示意性地示出。此外，每一元件的尺寸不完全反映實(shí)際尺寸。

圖1是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光裝置的剖視圖。

參考圖1，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光裝置可以包括襯底1、設(shè)置在襯底1上的發(fā)光結(jié)構(gòu)9、設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)9上的電極層13、以及插入在發(fā)光結(jié)構(gòu)9與電極層13之間的接觸層11。

接觸層11可以以接觸結(jié)構(gòu)被命名。換句話說，接觸層11和接觸結(jié)構(gòu)不僅基本上具有相同的作用和相同的結(jié)構(gòu)，而且可以基本上具有相同材料。

由于襯底1起到支撐作用，襯底1必須具有極大的硬度、耐腐蝕性和低熱膨脹系數(shù)，并且還包括具有與發(fā)光結(jié)構(gòu)9之間小的晶格常數(shù)差異的材料。例如，襯底1可以包括由藍(lán)寶石、SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、GaP、InP和Ge組成的群中選擇的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。

盡管未示出，緩沖層可以插入在襯底1和發(fā)光結(jié)構(gòu)9之間，但實(shí)施例不限于此。

可以形成緩沖層以減少襯底1與發(fā)光結(jié)構(gòu)9之間的大的晶格常數(shù)差距。換句話說，緩沖層可以形成在襯底1上，發(fā)光結(jié)構(gòu)9可以形成在緩沖層上。在這種情況下，由于發(fā)光結(jié)構(gòu)9表現(xiàn)出與緩沖層之間的小的晶格常數(shù)差差異，因而發(fā)光結(jié)構(gòu)9穩(wěn)定地生長(zhǎng)在緩沖層上而不會(huì)失敗，使得電和光特性能夠得以提高。

例如，緩沖層可以具有襯底1與發(fā)光結(jié)構(gòu)9的晶格常數(shù)之間的中間晶格常數(shù)。