[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310379522.2
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN103633197A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 權(quán)五敏;元鐘學(xué);徐憲真
• 申請（專利權(quán)）人: LG伊諾特有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/36;H01L33/54;H01L33/12;H01L33/38;H01L33/58
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李玉鎖;張浴月

1.一種發(fā)光裝置，包括：

發(fā)光結(jié)構(gòu)，至少包括第一導(dǎo)電性半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層；

電極層，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)上；

接觸層，位于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)與所述電極層之間，并包括氮化物半導(dǎo)體層。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層包括摻雜劑。

3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層包括選自由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN、InN、以及AlInN組成的群中的至少一種。

4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層包括摻雜劑，該摻雜劑具有與構(gòu)成所述第一和第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層其中之一的摻雜劑的極性相同的極性。

5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層包括與構(gòu)成所述第一和第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層其中之一的半導(dǎo)體材料相同的半導(dǎo)體材料。

6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層具有在至范圍內(nèi)的厚度。

7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層具有在0.7E18至3E18范圍內(nèi)的摻雜濃度。

8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層包含多個凹槽和設(shè)置在所述多個凹槽之間并且互相連接的多個圖案。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中每個凹槽至少包括孔和溝槽中的一種。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中所述電極層具有包括多個突起的底表面。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中每個突起形成在所述凹槽中。

12.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光裝置，其中所述溝槽具有對應(yīng)于相對于接觸層厚度的30%至90%的深度。

13.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述圖案的寬度等于或?qū)捰谒霭疾鄣膶挾取?/p>

14.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中所述電極層的底表面具有與所述凹槽的形狀相對應(yīng)的形狀。

15.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層具有條紋形狀或格形狀。

16.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，還包括所述接觸層上的凹-凸結(jié)構(gòu)。

17.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其中所述電極層的底表面具有與所述凹-凸結(jié)構(gòu)的形狀相對應(yīng)的形狀。

18.如權(quán)利要求16所述的發(fā)光裝置，其中所述凹-凸結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述接觸層的頂表面。

19.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述接觸層具有比所述第二導(dǎo)電性半導(dǎo)體層的摻雜濃度低的摻雜濃度。

20.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中所述電極層包括透光性導(dǎo)電材料和反射性導(dǎo)電材料中的一種。