[發(fā)明專利]用于將材料薄膜沉積在襯底上的設備和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310379261.4 | 申請日: | 2013-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN103633258A | 公開(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設計)人: | 西達爾塔·哈里克思希納·莫漢;保羅·E·伯羅斯 | 申請(專利權)人: | 環(huán)球展覽公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54;B05B13/04 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 王璐 |
| 地址: | 美國新*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 材料 薄膜 沉積 襯底 設備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及通過多個噴嘴來沉積有機材料,其中所述噴嘴中的至少兩者包含不同幾何形狀。本發(fā)明的標的物可在利用有機材料的光學電子裝置等的制造中具有特定適用性。
背景技術
出于若干原因,利用有機材料的光學電子裝置變得越來越合意。用以制作此些裝置的材料中的許多材料相對便宜,因此有機光學電子裝置具有優(yōu)于無機裝置的成本優(yōu)勢潛力。另外,有機材料的固有特性(例如其柔性)可使其非常適合特定應用,例如在柔性襯底上的制造。有機光學電子裝置的實例包含有機發(fā)光裝置(OLED)、有機光電晶體管、有機光伏電池和有機光電檢測器。對于OLED,有機材料可具有優(yōu)于常規(guī)材料的性能優(yōu)點。舉例來說,有機發(fā)光層發(fā)射光的波長通??捎眠m當?shù)膿诫s劑來容易地調(diào)諧。
OLED利用較薄的有機膜,其在電壓施加于裝置上時發(fā)射光。OLED正變?yōu)橛糜诶缙桨屣@示器、照明和背光等應用中的越來越有吸引力的技術。第5,844,363號、第6,303,238號和第5,707,745號美國專利中描述若干OLED材料和配置,所述專利以全文引用的方式并入本文中。
有機蒸氣噴射印刷(OVJP)通過在載氣中輸送有機蒸氣且通過噴嘴將其噴射到襯底上來沉積經(jīng)圖案化的有機薄膜,而無需蔭罩。OVJP的目的已為在大體上限于噴嘴的寬度的襯底上形成有機薄膜圖案。然而,已知,對于某些噴嘴幾何形狀,在OVJP期間可發(fā)生過噴。將過噴界定為沉積在襯底的其它部分上的所沉積線的厚度的百分比。舉例來說,使用OVJP印刷的三色顯示器可含有紅色、藍色和綠色像素,其各自需要從一個或一個以上噴嘴沉積的單獨材料。舉例來說,重要的是,從一個噴嘴沉積的紅色發(fā)光材料不會粘到襯底的與從不同噴嘴沉積的藍色發(fā)光材料相同的區(qū)。
磷光性發(fā)光分子的一個應用是全色顯示器。用于此類顯示器的行業(yè)標準需要適于發(fā)射特定色彩(稱為“飽和”色彩)的像素。明確地說,這些標準需要飽和的紅色、綠色和藍色像素。可使用此項技術中眾所周知的CIE坐標來測量色彩。
綠色發(fā)光分子的一個實例為3(2-苯基吡啶)銥、表示為Ir(ppy)3,其具有以下結構:
在此圖以及本文后面的圖中,將從氮到金屬(此處,Ir)的配價鍵描繪為直線。
如本文所使用,術語“有機”包含聚合材料以及小分子有機材料,其可用以制造有機光學電子裝置?!靶》肿印敝复皇蔷酆衔锏娜魏斡袡C材料,且“小分子”可實際上相當大。在一些情況下,小分子可包含重復單元。舉例來說,使用長鏈烷基作為取代基不會將分子從“小分子”類別中去除。小分子還可并入到聚合物中,例如作為聚合物主干上的懸垂基或作為主干的一部分。小分子還可充當樹狀體的核心半族,樹狀體由建立在核心半族上的一系列化學殼組成。樹狀體的核心半族可為熒光或磷光小分子發(fā)射器。樹狀體可為“小分子”,且相信OLED領域中當前使用的所有樹狀體均為小分子。
如本文所使用,“頂部”表示離襯底最遠,而“底部”表示離襯底最近。在將第一層描述為“沉積在”第二層“上”的情況下,第一層沉積為進一步遠離襯底。第一與第二層之間可存在其它層,除非指定第一層與第二層“接觸”。舉例來說,可將陰極描述為“安置在”陽極“上”,但之間存在各種有機層。
如本文所使用,“溶液可處理”表示能夠以溶液或懸浮液的形式在液體媒介中溶解、分散或輸送且/或從液體媒介沉積。
當相信配位體直接促成發(fā)光材料的光敏特性時,配位體可稱為“光敏性的”。當相信配位體并不促成發(fā)光材料的光敏特性時,配位體可稱為“輔助性的”,但輔助性的配位體可更改光敏配位體的特性。
如本文所使用,且如所屬領域的技術人員一股將理解,第一“最高占用分子軌道”(HOMO)或“最低未占用分子軌道”(LUMO)能量等級“大于”或“高于”第二HOMO或LUMO能量等級,如果第一能量等級較接近真空能量等級的話。由于將電離電位(IP)測量為相對于真空等級的負能量,因此較高HOMO能量等級對應于具有較小絕對值的IP(負得較少的IP)。類似地,較高LUMO能量等級對應于具有較小絕對值的電子親和性(EA)(負得較少的EA)。在常規(guī)能量等級圖上,真空等級在頂部,材料的LUMO能量等級高于同一材料的HOMO能量等級?!拜^高”HOMO或LUMO能量等級表現(xiàn)為比“較低”HOMO或LUMO能量等級更靠近此圖的頂部。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





