[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201310379108.1
• 申請日: 2009-12-01
• 公開（公告）號: CN103531537A
• 公開（公告）日: 2014-01-22
• 發明（設計）人: 金元住;崔相武;李太熙;樸允童
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/82
• 分類號: H01L21/82;H01L27/02;H01L21/762
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉燦強;王占杰

1.一種包括局部化絕緣體上硅結構的半導體裝置，包括：

基底區域；

在基底區域中的第一導電類型的第一阱；

第二導電類型的第二阱；

第二導電類型的第三阱；

絕緣體上硅結構，在第三阱的上方填充基底區域中的凹陷，

其中，第二阱和第三阱通過第一阱隔開，并且第二阱和第三阱形成在第一阱兩側的區域中，使得第二阱和第三阱彼此不相鄰，第二阱和第三阱中的至少一個位于第一阱上，

其中，第一晶體管的源極和漏極在第二阱中，第二晶體管的源極和漏極在絕緣體上硅結構中，

其中，驅動電路包括第一晶體管，存儲器單元包括第二晶體管。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，施加到第二阱的偏壓與施加到第三阱的偏壓不同。

3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，不同的偏壓被施加到第三阱中的絕緣體上硅結構與第一阱和第二阱中的驅動電路。

4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，不同的偏壓被施加到存儲器單元和驅動電路。

5.如權利要求1所述的半導體裝置，其中，驅動電路不形成在絕緣體上硅結構上。