[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件和制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310378594.5
• 申請(qǐng)日: 2013-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN103681550B
• 公開（公告）日: 2018-09-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金東權(quán);金基一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L23/48
• 分類號(hào): H01L23/48;H01L21/768
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 翟然

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

下導(dǎo)體，具有下導(dǎo)體側(cè)壁表面以及與所述下導(dǎo)體側(cè)壁表面連續(xù)的頂表面，所述頂表面包括邊緣部分和中心部分；

阻擋膜，具有直接設(shè)置在所述下導(dǎo)體側(cè)壁上的阻擋膜側(cè)壁；和

通路，設(shè)置在所述下導(dǎo)體的頂表面上，

其中所述下導(dǎo)體的所述下導(dǎo)體側(cè)壁表面和所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分在一點(diǎn)處相接，所述阻擋膜側(cè)壁的頂表面在所述下導(dǎo)體側(cè)壁表面與所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分相接的所述點(diǎn)處與所述下導(dǎo)體相交，所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分和所述通路在向上方向上直接從所述下導(dǎo)體側(cè)壁表面與所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分相接的所述點(diǎn)處延伸，所述阻擋膜側(cè)壁的所述頂表面設(shè)置在比所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述中心部分的水平低的水平，以及所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分在所述向上方向上凸起地圓化并且所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述中心部分高于所述邊緣部分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一絕緣膜，圍繞所述下導(dǎo)體和所述阻擋膜的組合，其中凹入?yún)^(qū)域存在于所述阻擋膜側(cè)壁的所述頂表面之上和所述第一絕緣膜的與所述阻擋膜側(cè)壁的所述頂表面緊鄰的一部分中。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述凹入?yún)^(qū)域具有從所述阻擋膜的所述頂表面向上增加的寬度。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體器件，其中所述通路延伸以完全填充所述凹入?yún)^(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述下導(dǎo)體的在所述下導(dǎo)體側(cè)壁表面與所述下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分相接的所述點(diǎn)處在第一方向上的寬度小于或等于所述通路的在所述通路的底部分處在相對(duì)的側(cè)表面之間在所述第一方向上的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第一上導(dǎo)體，直接設(shè)置在所述通路上并且具有與所述通路的各相對(duì)側(cè)壁表面垂直對(duì)準(zhǔn)的相對(duì)側(cè)壁表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

第二上導(dǎo)體，與所述第一上導(dǎo)體平行地布置并且與所述第一上導(dǎo)體分離開10nm到100nm之間的范圍的間距。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件，其中所述通路是雙鑲嵌通路。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述阻擋膜包括Ti和TiN的至少一種。

10.一種半導(dǎo)體器件，包括：

金屬層，包括彼此橫向隔開的第一下導(dǎo)體和第二下導(dǎo)體，所述第一下導(dǎo)體具有第一相對(duì)的下導(dǎo)體側(cè)壁表面以及頂表面，所述第一下導(dǎo)體的所述頂表面具有邊緣部分和中心部分，以及所述第二下導(dǎo)體具有第二相對(duì)的下導(dǎo)體側(cè)壁表面和頂表面；

第一阻擋膜，具有分別直接形成在所述第一相對(duì)的下導(dǎo)體側(cè)壁表面上的第一阻擋膜側(cè)壁；

第二阻擋膜，具有分別直接在所述第二相對(duì)的下導(dǎo)體側(cè)壁表面上的第二阻擋膜側(cè)壁；和

通路，設(shè)置在所述第一下導(dǎo)體的所述頂表面上，其中所述第一阻擋膜側(cè)壁的至少之一的頂表面設(shè)置在比所述第一下導(dǎo)體的所述頂表面的所述中心部分的水平低的水平，所述第二阻擋膜側(cè)壁的頂表面設(shè)置在相同的水平，所述第一阻擋膜側(cè)壁的所述至少之一的所述頂表面設(shè)置在比所述第二阻擋膜側(cè)壁的所述頂表面的每個(gè)的水平低的水平，所述第一下導(dǎo)體的所述頂表面的所述邊緣部分在向上方向上凸起地圓化并且所述第一下導(dǎo)體的所述頂表面的所述中心部分高于所述邊緣部分。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述第二阻擋膜側(cè)壁的所述頂表面與所述第一下導(dǎo)體的所述頂表面的所述中心部分在相同的水平。