[發(fā)明專利]直下式背光模塊

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310378402.0
• 申請(qǐng)日: 2013-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN103411167A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡宗霖;葉鈞皓
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州茂立光電科技有限公司
• 主分類號(hào): F21S8/00
• 分類號(hào): F21S8/00;F21V8/00;G02F1/13357;F21Y101/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 余化鵬

1.一種直下式背光模塊，其特征在于，其包含：

一透光板體，包含一出光面和一與該出光面相對(duì)的入光面；

一圓錐形凹部，設(shè)于該出光面上，該圓錐形凹部包含：

一尖端底部；以及

一凸曲面內(nèi)壁，連接于該尖端底部與該出光面之間，且圍繞該尖端底部；以及

一發(fā)光二極管封裝元件，抵接該入光面且對(duì)應(yīng)該尖端底部，該發(fā)光二極管封裝元件包含至少一發(fā)光二極管晶粒，該發(fā)光二極管晶粒表面具有一出光區(qū)域，

其中該尖端底部對(duì)該發(fā)光二極管封裝元件的一正投影與該發(fā)光二極管晶粒的該出光區(qū)域不相互重疊。

2.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒的一頂面由該出光區(qū)域與一非出光區(qū)域所組成，該出光區(qū)域圍繞該非出光區(qū)域，且該正投影重疊于該非出光區(qū)域上。

3.如權(quán)利要求2所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒包含：

一芯片基板；

一第一半導(dǎo)體層，形成于該芯片基板上；

一第二半導(dǎo)體層，疊設(shè)于該第一半導(dǎo)體層與該芯片基板之間；以及

一無(wú)摻雜部，貫穿該第一半導(dǎo)體層與該第二半導(dǎo)體層，其中該無(wú)摻雜部為該非出光區(qū)域。

4.如權(quán)利要求2所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒包含：

一芯片基板；

一第一半導(dǎo)體層，形成于該芯片基板上；

一第二半導(dǎo)體層，疊設(shè)于該第一半導(dǎo)體層與該芯片基板之間；以及

一無(wú)摻雜部，位于該第一半導(dǎo)體層，其中該無(wú)摻雜部為該非出光區(qū)域。

5.如權(quán)利要求2所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒包含：

一芯片基板；

一第一半導(dǎo)體層，形成于該芯片基板上；

一第二半導(dǎo)體層，疊設(shè)于該第一半導(dǎo)體層與該芯片基板之間；以及

一無(wú)摻雜部，位于該第二半導(dǎo)體層，其中該無(wú)摻雜部為該非出光區(qū)域。

6.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒的數(shù)量為兩個(gè)，該正投影介于這兩個(gè)發(fā)光二極管晶粒之間。

7.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒的數(shù)量為大于兩個(gè)，該些發(fā)光二極管晶粒間隔地圍繞該正投影。

8.如權(quán)利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝元件包含：

一導(dǎo)線架；以及

一隆起部，位于該導(dǎo)線架上，其中該隆起部的一橫截面具有一頂部與兩個(gè)相對(duì)面，該頂部連接于該兩個(gè)相對(duì)面之間，且該正投影重疊于該頂部上。

9.如權(quán)利要求8所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發(fā)光二極管晶粒的數(shù)量為多個(gè)，任兩個(gè)發(fā)光二極管晶粒分別固設(shè)于該兩個(gè)相對(duì)面上，并電性連接該隆起部。