[發明專利]直下式背光模塊

有效

• 申請號: 201310378402.0
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN103411167A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 蔡宗霖;葉鈞皓
• 申請（專利權）人: 蘇州茂立光電科技有限公司
• 主分類號: F21S8/00
• 分類號: F21S8/00;F21V8/00;G02F1/13357;F21Y101/02
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 余化鵬

1.一種直下式背光模塊，其特征在于，其包含：

一透光板體，包含一出光面和一與該出光面相對的入光面；

一圓錐形凹部，設于該出光面上，該圓錐形凹部包含：

一尖端底部；以及

一凸曲面內壁，連接于該尖端底部與該出光面之間，且圍繞該尖端底部；以及

一發光二極管封裝元件，抵接該入光面且對應該尖端底部，該發光二極管封裝元件包含至少一發光二極管晶粒，該發光二極管晶粒表面具有一出光區域，

其中該尖端底部對該發光二極管封裝元件的一正投影與該發光二極管晶粒的該出光區域不相互重疊。

2.如權利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒的一頂面由該出光區域與一非出光區域所組成，該出光區域圍繞該非出光區域，且該正投影重疊于該非出光區域上。

3.如權利要求2所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒包含：

一芯片基板；

一第一半導體層，形成于該芯片基板上；

一第二半導體層，疊設于該第一半導體層與該芯片基板之間；以及

一無摻雜部，貫穿該第一半導體層與該第二半導體層，其中該無摻雜部為該非出光區域。

4.如權利要求2所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒包含：

一芯片基板；

一第一半導體層，形成于該芯片基板上；

一第二半導體層，疊設于該第一半導體層與該芯片基板之間；以及

一無摻雜部，位于該第一半導體層，其中該無摻雜部為該非出光區域。

5.如權利要求2所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒包含：

一芯片基板；

一第一半導體層，形成于該芯片基板上；

一第二半導體層，疊設于該第一半導體層與該芯片基板之間；以及

一無摻雜部，位于該第二半導體層，其中該無摻雜部為該非出光區域。

6.如權利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒的數量為兩個，該正投影介于這兩個發光二極管晶粒之間。

7.如權利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒的數量為大于兩個，該些發光二極管晶粒間隔地圍繞該正投影。

8.如權利要求1所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管封裝元件包含：

一導線架；以及

一隆起部，位于該導線架上，其中該隆起部的一橫截面具有一頂部與兩個相對面，該頂部連接于該兩個相對面之間，且該正投影重疊于該頂部上。

9.如權利要求8所述的直下式背光模塊，其特征在于，該發光二極管晶粒的數量為多個，任兩個發光二極管晶粒分別固設于該兩個相對面上，并電性連接該隆起部。