[發(fā)明專利]磁記錄介質(zhì)和磁記錄再生裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310376361.1 | 申請日: | 2013-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN103680524B | 公開(公告)日: | 2017-04-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丹羽和也;神邊哲也;村上雄二;張磊 | 申請(專利權(quán))人: | 昭和電工株式會社 |
| 主分類號: | G11B5/65 | 分類號: | G11B5/65;G11B5/73 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所11247 | 代理人: | 段承恩,楊光軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 記錄 介質(zhì) 再生 裝置 | ||
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明涉及硬盤裝置(HDD)等中所使用的熱輔助磁記錄方式或微波輔助磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)、以及磁記錄再生裝置。
本申請對在2012年8月29日申請的日本國專利申請第2012-189237號要求優(yōu)先權(quán),援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)
為了硬盤裝置的記錄容量增大,介質(zhì)的高密度化在進(jìn)展,但由于難以使粒徑微細(xì)化、熱穩(wěn)定特性、記錄特性同時成立的、所謂的被稱為三難困境的問題,介質(zhì)的高密度化變得困難。熱輔助磁記錄方式,作為解決該三難困境的方法被期待,研究開發(fā)在活躍地進(jìn)行。
熱輔助磁記錄方式,是通過利用磁頭對介質(zhì)照射近場光,將介質(zhì)表面局部地加熱,從而使介質(zhì)矯頑力降低而進(jìn)行寫入的記錄方式。
通過在該熱輔助磁記錄方式的介質(zhì)磁性層中使用具有高的結(jié)晶磁各向異性Ku的材料,能夠在維持作為熱穩(wěn)定性指標(biāo)的KuV/kT(Ku:磁各向異性常數(shù)、V:粒子體積、k:玻爾茲曼常數(shù)、T:溫度)的狀態(tài)下使磁性粒子體積較小。
作為這樣的高Ku材料,已知具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的FePt(Ku約7×107erg/cm3)、CoPt(Ku約5×107erg/cm3)那樣的規(guī)則(有序)化合金。
為了得到顯示高的結(jié)晶磁各向異性的熱輔助磁記錄介質(zhì),需要使磁性層的具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金采取良好的(001)取向。由于磁性層的取向性被基底層控制,因此需要適當(dāng)選擇基底層的材料。
例如,專利文獻(xiàn)1中記載了通過使用MgO基底層,F(xiàn)ePt磁性層顯示(001)取向。另外,非專利文獻(xiàn)1中記載了通過組合使用RuAl基底層以及TiN基底層,F(xiàn)ePt磁性層顯示良好的(001)取向。
另外,作為下一代的記錄方式受到關(guān)注的其他的技術(shù),有微波輔助磁記錄方式。微波輔助磁記錄方式是對磁記錄介質(zhì)的磁性層照射微波,使磁化方向從易磁化軸傾斜,使磁性層的磁化局部地翻轉(zhuǎn)來記錄磁信息的方式。
在微波輔助磁記錄方式中,也與熱輔助磁記錄方式同樣地,作為磁性層的材料,能夠使用包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的高Ku材料。為了使記錄密度進(jìn)一步提高,必須使磁性層的粒徑較小。因此,在微波輔助磁記錄方式中,也需要即使將磁性粒子的粒徑微細(xì)化也能夠維持熱穩(wěn)定性的包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的磁記錄介質(zhì)。
在先技術(shù)文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)
專利文獻(xiàn)1:特開平11-353648號公報
非專利文獻(xiàn)
非專利文獻(xiàn)1:J.Appl.Phys.,Vol.109,07B770(2011)
發(fā)明內(nèi)容
在熱輔助磁記錄介質(zhì)中,為了得到良好的磁記錄特性,使包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的磁性層采取良好的(001)取向是重要的。
在磁性層中使用FePt合金的情況下,Cr合金、RuAl、MgO、TiN等被廣泛用作為基底層。但是,在以往的技術(shù)中,包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的磁性層的(001)取向性不充分,為了進(jìn)一步提高記錄密度,需要使熱輔助磁記錄介質(zhì)中所使用的磁性層的取向性更良好。
另外,在微波輔助磁記錄介質(zhì)中,也需要使包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的磁性層的取向更良好。
本發(fā)明是鑒于上述的情況而提出的,其目的是提供通過具備包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的磁性層,且磁性層具有良好的(001)取向,可得到高矯頑力且高的信噪比(SNR)的熱輔助磁記錄介質(zhì)、以及具備該介質(zhì)的磁記錄再生裝置。
另外,本發(fā)明的目的是提供具有包含具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金的磁性層,且磁性層具有良好的取向的微波輔助磁記錄介質(zhì)、以及具備該介質(zhì)的磁記錄再生裝置。
該課題通過使用下述磁記錄介質(zhì)能夠解決,所述磁記錄介質(zhì)具有:在基板上形成的基底層、和在上述基底層上形成的以具有L10型晶體結(jié)構(gòu)的合金為主成分的磁性層,上述基底層,從基板側(cè)起依次具有:晶格常數(shù)a為2.87埃≤a<3.04埃的第一基底層、晶格常數(shù)a為3.04埃≤a<3.18埃的BCC結(jié)構(gòu)的第二基底層、晶格常數(shù)a為3.18埃≤a<3.31埃的BCC結(jié)構(gòu)的第三基底層、和具有NaCl型晶體結(jié)構(gòu)的上層基底層,上述第一基底層具有B2結(jié)構(gòu)、或具有以Cr為主成分的BCC結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的一個方式提供具有以下特征的磁記錄介質(zhì)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于昭和電工株式會社,未經(jīng)昭和電工株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201310376361.1/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇:硬盤連接器切換電路
- 下一篇:用于制備氨和尿素的方法





