[發明專利]磁記錄介質和磁記錄再生裝置

有效

• 申請號: 201310376361.1
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103680524B
• 公開（公告）日: 2017-04-12
• 發明（設計）人: 丹羽和也;神邊哲也;村上雄二;張磊
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社
• 主分類號: G11B5/65
• 分類號: G11B5/65;G11B5/73
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所11247
• 代理人: 段承恩,楊光軍

1.一種磁記錄介質，其特征在于，具有：

在基板上形成的基底層；和

在所述基底層上形成的以具有L1₀型晶體結構的合金為主成分的磁性層，

所述基底層，從基板側起依次具有：

晶格常數a為2.87埃≤a＜3.04埃的第一基底層；

晶格常數a為3.04?！躠＜3.18埃的BCC結構的第二基底層；

晶格常數a為3.18?！躠＜3.31埃的BCC結構的第三基底層；和

具有NaCl型晶體結構的上層基底層，

所述第一基底層具有B2結構、或具有以Cr為主成分的BCC結構，

所述磁記錄介質是采用熱輔助磁記錄方式或微波輔助磁記錄方式記錄信息的磁記錄介質。

2.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述第一基底層包含Cr且具有BCC結構，或者，含有Cr作為主成分且包含Ti、V、Mo、W、Nb、Ta、Mn、Ru之中的至少1種并具有BCC結構。

3.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述第一基底層含有NiAl或RuAl并具有B2結構。

4.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述第二和第三基底層，包含Cr、Mo、Nb、Ta、V、W或W，或者，以Cr、Mo、Nb、Ta、V或W為主成分包含Cr、Ti、V、Mo、W、Nb、Ta、Mn、Ru之中的至少1種。

5.根據權利要求1所述的磁記錄介質，其特征在于，所述磁性層具有L1₀型晶體結構，以FePt合金或CoPt合金為主成分，并且，含有選自SiO₂、TiO₂、Cr₂O₃、Al₂O₃、Ta₂O₅、ZrO₂、Y₂O₃、CeO₂、MnO、TiO、ZnO、C之中的至少1種。

6.一種磁記錄再生裝置，具備：

權利要求1～5的任一項所述的磁記錄介質；

將所述磁記錄介質沿記錄方向驅動的介質驅動部；

磁頭，其具有對所述磁記錄介質進行加熱的激光發生部、將從所述激光發生部發生的激光向頂端部引導的波導和設置于所述頂端部的近場發生元件，且進行針對所述磁記錄介質的記錄動作和再生動作；

使所述磁頭相對于所述磁記錄介質相對移動的磁頭移動部；和

進行向所述磁頭的信號輸入和來自所述磁頭的輸出信號的再生的記錄再生信號處理系統。

7.一種磁記錄再生裝置，具備：

權利要求1～5的任一項所述的磁記錄介質；

將所述磁記錄介質沿記錄方向驅動的介質驅動部；

對所述磁記錄介質照射微波的元件；

進行針對所述磁記錄介質的記錄動作和再生動作的磁頭；

使所述磁頭相對于所述磁記錄介質相對移動的磁頭移動部；和

進行向所述磁頭的信號輸入和來自所述磁頭的輸出信號的再生的記錄再生信號處理系統。