[發明專利]一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜及其制備方法和電致發光器件

無效

• 申請號: 201310375989.X
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN104419422A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: C09K11/78
• 分類號: C09K11/78;C09K11/66;H01L33/50
• 代理公司: 深圳市隆天聯鼎知識產權代理有限公司 44232
• 代理人: 劉抗美;劉耿

1.一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜，其特征在于，所述銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜的化學通式為Sr₂MO₄：xEu³⁺，yTb³⁺；其中：

Sr₂MO₄是基質，?Eu³⁺和Tb³⁺離子為稀土發光離子；

x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08；

M為Ce、Pb或Pr。

2.如權利要求1所述的銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜，其特征在于，x取值為0.02，y取值為0.04。

3.一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（a）按照摩爾比2：1：x/2：y/4，分別稱取SrO、MO₂、Eu₂O₃和Tb₄O₇粉體，經過混合均勻后，在900?~?1300℃下燒結，制成靶材；

（b）將步驟（a）中得到的靶材裝入磁控濺射鍍膜設備的真空腔體內，再把襯底裝入所述真空腔體內，并將所述真空腔體的真空度設置在?1.0×10^-3Pa?~?1.0×10^-5Pa之間；

（c）調整磁控濺射設備鍍膜的工藝參數：將所述靶材與所述襯底之間的距離調整為45~95mm，將所述磁控濺射鍍膜設備的工作氣體調整為10~35sccm流量的氬氣，將所述氬氣的壓強調整為0.2~4Pa，將所述襯底的溫度調整為250℃~750℃；接著通過所述磁控濺射鍍膜設備和所述靶材在所述襯底進行鍍膜，得到薄膜樣品；

（d）將步驟（c）制得的薄膜樣品于500℃~800℃下真空退火處理1~3h，得到化學通式為Sr₂MO₄：xEu³⁺，yTb³⁺的所述銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜；其中，Sr₂MO₄是基質，Eu³⁺和Tb³⁺離子為稀土發光離子；x的取值范圍為0.01~0.05，y的取值范圍為0.01~0.08；M為Ce、Pb或Pr。

4.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（a）中，所述靶材制備的燒結為1250℃；所述靶材的直徑為50mm、厚度為2mm。

5.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（b）中，所述真空腔體的真空度設置在5.0×10^-4Pa；所述襯底為銦錫氧化物導電玻璃。

6.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（c）中，所述靶材與所述襯底之間的距離為60mm；所述磁控濺射鍍膜設備的工作氣體為25sccm流量的氬氣，所述氬氣為2Pa；所述襯底的溫度為500℃。

7.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（d）中，x取值為0.02，y取值為0.04。

8.如權利要求3所述的制備方法，其特征在于，在所述的步驟（d）中，所述真空退火溫度為600℃，所述退火時間為2h。

9.一種電致發光器件，其為復合層狀結構，所述復合層狀結構依次為玻璃基片、陽極層、發光層以及陰極層，其特征在于，所述發光層為權利要求1或2所述的銪鋱共摻雜鍶酸鹽發光薄膜。

10.如權利要求9所述的電致發光器件，其特征在于，所述陰極層為銀層。