[發(fā)明專利]一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法和電致發(fā)光器件無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310375989.X | 申請(qǐng)日: | 2013-08-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN104419422A | 公開(公告)日: | 2015-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周明杰;陳吉星;王平;鐘鐵濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分類號(hào): | C09K11/78 | 分類號(hào): | C09K11/78;C09K11/66;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳市隆天聯(lián)鼎知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44232 | 代理人: | 劉抗美;劉耿 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 銪鋱共 摻雜 鍶酸鹽 發(fā)光 薄膜 及其 制備 方法 電致發(fā)光 器件 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜及其制備方法。本發(fā)明還涉及應(yīng)用所述銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜的電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)
薄膜電致發(fā)光顯示器(TFELD)由于其主動(dòng)發(fā)光、全固體化、耐沖擊、反應(yīng)快、視角大、適用溫度寬、工序簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),已引起了廣泛的關(guān)注,且發(fā)展迅速。
鍶酸鹽類發(fā)光材料是作為L(zhǎng)ED熒光粉的熱門研究材料。紫外激發(fā)藍(lán)色熒光粉已經(jīng)可以作為商用的產(chǎn)品,并在不斷的改善研發(fā)中。但是,用銪鋱共摻雜鍶酸鹽類發(fā)光材料制備成電致發(fā)光的薄膜,仍未見(jiàn)報(bào)道。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于提供一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜。
針對(duì)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提出一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜,其化學(xué)通式為Sr2MO4:xEu3+,yTb3+;其中,Sr2MO4是基質(zhì),Eu、Tb是激活元素,Eu3+和Tb3+離子為稀土發(fā)光離子;x的取值范圍為0.01~0.05,優(yōu)選為0.02;y的取值范圍為0.01~0.08,優(yōu)選為0.04;M為Ce、Pb或Pr。
本發(fā)明的另一發(fā)明目的在于提供銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法。
針對(duì)上述發(fā)明目的,本發(fā)明提出一種銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜的制備方法,其步驟如下:
(a)按照摩爾比2:1:x/2:y/4,分別稱取SrO、MO2、Eu2O3和Tb4O7粉體,經(jīng)過(guò)混合均勻后,在900~1300℃下燒結(jié),優(yōu)選在1250℃下燒結(jié),制成靶材;所述靶材的直徑為50mm、厚度為2mm;
(b)將步驟(a)中得到的靶材裝入磁控濺射鍍膜設(shè)備的真空腔體內(nèi),再把襯底裝入所述真空腔體內(nèi),并將所述真空腔體的真空度設(shè)置在1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa之間,優(yōu)選為5.0×10-4Pa;
(c)調(diào)整磁控濺射設(shè)備鍍膜的工藝參數(shù):將所述靶材與所述襯底之間的距離調(diào)整為45~95mm,優(yōu)選為60mm;將所述磁控濺射鍍膜設(shè)備的工作氣體調(diào)整為10~35sccm流量的氬氣,優(yōu)選為25sccm流量的氬氣;將所述氬氣的壓強(qiáng)調(diào)整為0.2~4Pa,優(yōu)選為2.0Pa;將所述襯底的溫度調(diào)整為250℃~750℃,優(yōu)選為500℃;接著通過(guò)所述磁控濺射鍍膜設(shè)備和所述靶材在所述襯底進(jìn)行鍍膜,得到薄膜樣品;
(d)將步驟(c)制得的薄膜樣品于500℃~800℃下真空退火處理1~3h,得到化學(xué)通式為Sr2MO4:xEu3+,yTb3+的所述銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜;其中,Sr2MO4是基質(zhì),Eu、Tb是激活元素,Eu3+和Tb3+離子為稀土發(fā)光離子;x的取值范圍為0.01~0.05,y的取值范圍為0.01~0.08;M為Ce、Pb或Pr。所述真空退火溫度優(yōu)選為600℃,退火時(shí)間優(yōu)選為2h。
本發(fā)明的又一發(fā)明目的在于提供一種電致發(fā)光器件。
針對(duì)上述目的,本發(fā)明提出一種電致發(fā)光器件,其為復(fù)合層狀結(jié)構(gòu),所述復(fù)合層狀結(jié)構(gòu)依次為玻璃基片、陽(yáng)極層、發(fā)光層以及陰極層,所述發(fā)光層為銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜,所述銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜的化學(xué)通式為Sr2MO4:xEu3+,yTb3+;其中,Sr2MO4是基質(zhì),Eu、Tb是激活元素;x的取值范圍為0.01~0.05,優(yōu)選為0.02;y的取值范圍為0.01~0.08,優(yōu)選為0.04;M為Ce、Pb或Pr。所述陰極層為銀層。
本發(fā)明中的磁控濺射鍍膜是指在真空中利用電離出的惰性氣體離子轟擊靶材表面,使得靶原子濺出并沉積在襯底上,從而在襯底上形成薄膜。本發(fā)明制備的銪鋱共摻雜鍶酸鹽是高硬度高熔點(diǎn)材料,相對(duì)于普通蒸發(fā)鍍膜的1300℃以上的工作溫度,磁控濺射鍍膜具有低溫的特點(diǎn),且磁控濺射鍍膜還具有快速的特點(diǎn),因此本發(fā)明采用磁控濺射鍍膜來(lái)制備銪鋱共摻雜鍶酸鹽發(fā)光薄膜。
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