[發(fā)明專利]一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310375937.2
• 申請(qǐng)日: 2013-08-26
• 公開（公告）號(hào): CN104425542B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 敖偉;邱勇;黃秀頎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司;昆山國(guó)顯光電有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L29/786;H01L23/552;H01L51/52;H01L21/77
• 代理公司: 北京三聚陽(yáng)光知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括：

基板(1)；

薄膜晶體管，包括半導(dǎo)體層(33)，設(shè)置在半導(dǎo)體層(33)兩端的漏極(34)和源極(35)，垂直方向上設(shè)置于所述半導(dǎo)體層(33)上方或下方的柵極(31)；

鈍化層(36)，設(shè)置薄膜晶體管上；

有機(jī)發(fā)光二極管，設(shè)置在所述鈍化層(36)上，包括第一電極(41)、有機(jī)層(42)以及第二電極(43)；

所述鈍化層(36)中設(shè)置有導(dǎo)通所述第一電極(41)與所述源極(35)、所述漏極(34)之一的通孔，所述第二電極(43)上還設(shè)置有封裝層(5)；

其特征在于，

所述半導(dǎo)體層(33)為金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述鈍化層(36)上直接設(shè)置有紫外線阻擋層(7)，所述紫外線阻擋層(7)與所述第一電極(41)平滑相接，且其厚度與所述第一電極(41)相同；直接設(shè)置于所述第一電極(41)上的所述有機(jī)層(42)平緩延伸覆蓋在所述紫外線阻擋層(7)上；

所述第二電極(43)和所述封裝層(5)之間還設(shè)置有光取出層(6)，所述光取出層(6)對(duì)波長(zhǎng)小于420nm的光透過(guò)率小于20％，對(duì)波長(zhǎng)大于或等于420nm的光透過(guò)率大于90％，且所述光取出層(6)的折射率大于2。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紫外線阻擋層(7)對(duì)波長(zhǎng)小于420nm的光透過(guò)率小于20％，對(duì)波長(zhǎng)大于或等于420nm的光透過(guò)率大于90％。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紫外線阻擋層(7)遠(yuǎn)離基板(1)的表面的表面平整度小于10nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述紫外線阻擋層(7)包括ZrO₂層、TiO₂層、ZnO層、ZnS層或CeO₂層中的一種或多種的組合。

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述金屬氧化物半導(dǎo)體包括IGZO、IZO、ZTO、Al-IZO、N-IZO中的一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述光取出層(6)包括ZrO₂、TiO₂、ZnO、ZnS或CeO₂層中的一種或多種的組合。

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第二電極(43)為Ag層和/或Mg：Ag合金層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述第二電極(43)厚度為10～80nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述基板(1)上還直接設(shè)置有緩沖層(2)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述緩沖層(2)為SiOx層或SiNx層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其特征在于，所述有機(jī)層(42)包括發(fā)光層。

12.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1、形成包括薄膜晶體管區(qū)域的基板(1)，并在基板(1)上形成金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜晶體管；

S2、在基板(1)上形成覆蓋所述薄膜晶體管的鈍化層(36)；

S3、所述鈍化層(36)劃分為相鄰的像素區(qū)域和薄膜晶體管區(qū)域，在所述鈍化層(36)上所述薄膜晶體管區(qū)域設(shè)置紫外線阻擋層(7)，其厚度與第一電極(41)相同；

S4、在所述鈍化層(36)上所述像素區(qū)域上形成第一電極(41)，所述第一電極(41)與所述紫外線阻擋層(7)平滑相接；

S5、在所述第一電極(41)上直接形成有機(jī)層(42)，所述有機(jī)層(42)包括發(fā)光層，所述有機(jī)層(42)平緩延伸覆蓋在所述紫外線阻擋層(7)上；S6、在所述有機(jī)層(42)上形成第二電極(43)；

S7、在所述第二電極(43)上形成光取出層(6)，所述光取出層(6)對(duì)波長(zhǎng)小于420nm的光透過(guò)率小于20％，對(duì)波長(zhǎng)大于或等于420nm的光透過(guò)率大于90％且具有高折射率，所述折射率大于2；

S8、在所述光取出層(6)上設(shè)置封裝層(5)，對(duì)所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)行封裝。