[發明專利]一種有機發光顯示裝置及其制備方法

有效

• 申請號: 201310375937.2
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN104425542B
• 公開（公告）日: 2017-08-04
• 發明（設計）人: 敖偉;邱勇;黃秀頎
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L29/786;H01L23/552;H01L51/52;H01L21/77
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司11250
• 代理人: 彭秀麗

技術領域

本發明涉及顯示領域，具體涉及一種有機發光顯示裝置及其制備方法。

背景技術

有源矩陣有機發光器件（英文全稱Active Matrix Organic Lighting Emitting Display，簡稱AMOLED），利用薄膜晶體管（英文全稱Thin Film Transistor，簡稱TFT），搭配電容存儲信號，來控制有機發光二極管（英文全稱Organic Lighting Emitting Diode，簡稱OLED）的亮度和灰階表現。每個單獨的AMOLED具有完整的第二電極、有機功能層和第一電極，第一電極覆蓋一個薄膜晶體管陣列，形成一個矩陣。薄膜晶體管陣列形成電路，決定像素的發光情況，進而決定圖像的構成。AMOLED可大尺寸化，較省電，高解析度，面板壽命較長，因此在顯示技術領域得到了高度的重視。

如附圖1所示，現有技術中有機發光顯示裝置包括基板1，設置在基板1上的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管通常包括設置在基板1上的緩沖層2，依次設置在緩沖層2上的柵極31、柵極絕緣層32、半導體層33，以及設置在半導體層33兩端的漏極34和源極35。薄膜晶體管上還設置有鈍化層36，所述鈍化層36上設置包括第一電極41、有機層42以及第二電極43的有機發光二極管，其中，所述鈍化層36中設置有導通所述源極35和所述第一電極41的通孔。所述鈍化層36上還設置有像素限定層37，用于各像素間的隔離。

低溫多晶硅（英文全稱為：Low Temperature Poly-Silicon，簡稱LTPS）的電子遷移率高，用作半導體層33的材料，不但可以提高顯示器件的響應速度，還可以使薄膜電路做得更小更薄，功耗更低，提高顯示器件的開口率，在現有的顯示器件中得到了廣泛使用。但是，由于LTPS的退火工藝成本很高，無論是生產過程、生產線的維修維護，還是生產線的升級換代，都不能輕易實現；而且，隨著人們對大尺寸顯示器件需要的增加，大尺寸的LTPS的均一性和穩定性也受到了考驗，因此，現有技術中的LTPS仍局限于在小尺寸顯示器件中的應用。

為了解決LTPS制作成本高、無法大尺寸化的問題，研發人員找到一類新的半導體材料——金屬氧化物半導體，如IGZO（英文全稱為Indium Gallium Zinc Oxide，譯為銦鎵鋅氧化物）、IZO（英文全稱為Indium Zinc Oxide，譯為氧化銦鋅）等，其載流子遷移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高TFT對像素電極的充放電速率，提高像素的響應速度，實現更快的刷新率。更重要的是金屬氧化物半導體TFT可以利用現有的非晶硅生產線生產，只需稍加改動，因此在成本方面比LTPS更有競爭力。

但是金屬氧化物半導體對紫外線非常敏感，特別是在頂發射顯示裝置中，頂發射的第二電極較薄，是半反射半透射膜質，金屬氧化物半導體很容易暴露在紫外光下，易造成顯示裝置的劣化，使得金屬氧化物半導體無法在頂發射顯示裝置中使用。

發明內容

為此，本發明所要解決的是金屬氧化物半導體薄膜晶體管無法在頂發射有機發光二極管顯示裝置中使用以及易造成第二電極斷層的技術問題，提供一種新型的有機發光顯示裝置及其制備方法。

為解決上述技術問題，本發明采用的技術方案如下：

本發明所述的一種有機發光顯示裝置，包括：

基板；

薄膜晶體管，包括半導體層，設置在半導體層兩端的漏極和源極，垂直方向上設置于所述半導體層上方或下方的柵極；

鈍化層，設置薄膜晶體管上；

有機發光二極管，設置在所述鈍化層上，包括第一電極、有機層以及第二電極；

所述鈍化層中設置有導通所述第一電極與所述源極、所述漏極之一的通孔，所述第二電極上還設置有封裝層；

所述半導體層為金屬氧化物半導體層，所述鈍化層上直接設置有紫外線阻擋層，所述紫外線阻擋層與所述第一電極平滑相接，且其厚度與所述第一電極相同；直接設置于所述第一電極上的所述有機層平緩延伸覆蓋在所述紫外線阻擋層上；

所述第二電極和所述封裝層之間還設置有光取出層，所述光取出層對波長小于420nm的光透過率小于20%，對波長大于或等于420nm的光透過率大于90%，且所述光取出層的折射率大于2。

所述紫外線阻擋層對波長小于420nm的光透過率小于20%，對波長大于或等于420nm的光透過率大于90%。

所述紫外線阻擋層遠離基板的表面的表面平整度小于10nm。