[發(fā)明專利]功率用半導體元件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310375789.4
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103681826A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設計）人: 中村和敏;小倉常雄;二宮英彰
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;房永峰

1.一種功率用半導體元件，具備：

第1電極，具有第一面和第二面；

第1導電型的第1半導體層，設在上述第1電極的上述第一面?zhèn)龋?/p>

第1導電型的第2半導體層，設在上述第1半導體層之上，上述第2半導體層的雜質濃度高于上述第1半導體層的雜質濃度；

第2導電型的第3半導體層，設在上述第2半導體層之上；

第1導電型的第4半導體層，設在上述第3半導體層之上；

第2電極，與上述第4半導體層電連接；

第3電極，隔著絕緣膜設于上述第2半導體層及上述第3半導體層，上述第3電極具有位于上述第3半導體層的上端，沿上述第1半導體層與上述第2半導體層的層疊方向延伸；

第4電極，隔著絕緣膜設于上述第2半導體層及上述第3半導體層，上述第4電極具有位于上述第3半導體層的上端，沿上述層疊方向延伸，與上述第3電極并列；以及

第5電極，隔著絕緣膜設在上述第3電極與上述第4電極之間，上述第5電極具有位于上述第3半導體層的上端，沿上述層疊方向延伸，與上述第2電極電連接。

2.如權利要求1記載的功率用半導體元件，

上述第3電極的下端與上述第1半導體層之間的第1距離長于上述第3電極與上述第3半導體層之間的第2距離，

上述第4電極的下端與上述第1半導體層之間的第3距離長于上述第4電極與上述第3半導體層之間的第4距離。

3.如權利要求2記載的功率用半導體元件

上述第1距離與上述第3距離之差的絕對值小于等于5nm，

上述第2距離與上述第4距離之差的絕對值小于等于5nm。

4.如權利要求1記載的功率用半導體元件，

上述第3電極的下端位于上述第2半導體層之下，上述第4電極的下端位于上述第2半導體層之下。

5.如權利要求4記載的功率用半導體元件，

上述第5電極的下端位于上述第3電極的上述下端及上述第4電極的上述下端之下。

6.如權利要求1記載的功率用半導體元件，還具備：

第6電極，隔著絕緣膜設于上述第2半導體層及上述第3半導體層，上述第6電極具有位于上述第3半導體層的上端，沿上述層疊方向延伸；

第7電極，隔著絕緣膜設于上述第2半導體層及上述第3半導體層，上述第7電極具有位于上述第3半導體層的上端，沿上述層疊方向延伸，與上述第6電極并列；以及

第8電極，隔著絕緣膜設在上述第6電極與上述第7電極之間，上述第8電極具有位于上述第3半導體層的上端，沿上述層疊方向延伸。

7.如權利要求6記載的功率用半導體元件，

上述第6電極和上述第7電極與上述第3電極電連接，

上述第8電極與上述第2電極電連接。

8.如權利要求6記載的功率用半導體元件，

上述第6電極、上述第7電極和上述第8電極與上述第2電極電連接。

9.如權利要求8記載的功率用半導體元件，還具備：

元件區(qū)域，包含上述第1半導體層、上述第2半導體層、上述第3半導體層和上述第4半導體層；以及

終端區(qū)域，圍繞以從上述第1半導體層朝向上述第4半導體層的層疊方向為軸的軸，將上述元件區(qū)域包圍；

上述第6電極、上述第7電極和上述第8電極，在上述元件區(qū)域中與上述第2電極電連接。

10.如權利要求6記載的功率用半導體元件，

上述第6電極和上述第7電極與上述第2電極電連接，

上述第8電極與上述第3電極電連接。

11.如權利要求6記載的功率用半導體元件，

上述第6電極的下端位于上述第2半導體層之下，上述第7電極的下端位于上述第2半導體層之下。

12.如權利要求11記載的功率用半導體元件，

上述第8電極的下端位于上述第6電極的上述下端及上述第7電極的上述下端之下。

13.如權利要求6記載的功率用半導體元件，

上述第6電極的下端與上述第1半導體層之間的第5距離長于上述第6電極與上述第3半導體層之間的第6距離，

上述第7電極的下端與上述第1半導體層之間的第7距離長于上述第7電極與上述第3半導體層之間的第8距離。