[發(fā)明專利]二次電池用正極、二次電池以及二次電池用正極的制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310374107.8
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103633294A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山梶正樹;川上貴洋;元吉真子;矢田部莉加
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社半導(dǎo)體能源研究所
• 主分類號: H01M4/136
• 分類號: H01M4/136;H01M4/62;H01M10/052;H01M4/1397
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 劉倜

1.一種二次電池用正極，包括：

集電體；以及

所述集電體上的活性物質(zhì)層，

其中，所述活性物質(zhì)層包括活性物質(zhì)、石墨烯以及粘結(jié)劑，

碳層與所述活性物質(zhì)的表面接觸，

所述活性物質(zhì)層中的所述石墨烯的比例為0.1wt%以上且1.0wt%以下，

并且，當(dāng)放電率為1C時，所述正極的放電容量（mAh/g）的最大值為140mAh/g以上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池用正極，其中所述活性物質(zhì)包含磷酸鐵鋰。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池用正極，其中所述碳層的厚度為1nm以上且50nm以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池用正極，其中所述碳層具有非晶結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池用正極，

其中當(dāng)電壓為下限電壓以上時，所述正極的在測定范圍中60%以上的區(qū)間的放電曲線為平坦，

并且所述下限電壓為2V。

6.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1所述的二次電池用正極的二次電池。

7.一種包括根據(jù)權(quán)利要求6所述的二次電池的電子設(shè)備。

8.一種二次電池用正極，包括：

集電體；以及

所述集電體上的活性物質(zhì)層，

其中，所述活性物質(zhì)層包括活性物質(zhì)、石墨烯以及粘結(jié)劑，

碳層與所述活性物質(zhì)的表面接觸，

所述活性物質(zhì)層中的所述石墨烯的比例為0.1wt%以上且1.0wt%以下，

并且，在使用直徑為6mm的圓筒的卷起試驗中所述集電體與所述活性物質(zhì)層彼此不剝離。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池用正極，其中所述活性物質(zhì)包含磷酸鐵鋰。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池用正極，其中所述碳層的厚度為1nm以上且50nm以下。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池用正極，其中所述碳層具有非晶結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池用正極，其中當(dāng)放電率為1C時，所述正極的放電容量（mAh/g）的最大值為140mAh/g以上。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池用正極，

其中當(dāng)電壓為下限電壓以上時，所述正極的在測定范圍中60%以上的區(qū)間的放電曲線為平坦，

并且所述下限電壓為2V。

14.一種包括根據(jù)權(quán)利要求8所述的二次電池用正極的二次電池。

15.一種包括根據(jù)權(quán)利要求14所述的二次電池的電子設(shè)備。

16.一種二次電池用正極的制造方法，包括如下步驟：

將碳層覆蓋于活性物質(zhì)的表面；

通過將被所述碳層覆蓋的所述活性物質(zhì)、氧化石墨烯以及粘結(jié)劑混合涅煉來形成混合物，并使所述混合物中的所述氧化石墨烯的比例為0.2wt%以上且1.0wt%以下。

在集電體上設(shè)置所述混合物；以及

將所述氧化石墨烯還原來形成包括石墨烯的活性物質(zhì)層。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的二次電池用正極的制造方法，其中所述活性物質(zhì)包括磷酸鐵鋰。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的二次電池用正極的制造方法，其中所述碳層的厚度為1nm以上且50nm以下。