[發明專利]利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法

有效

• 申請號: 201310371881.3
• 申請日: 2013-08-23
• 公開（公告）號: CN103441102A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 李壽勝;鄒建安;謝年生
• 申請（專利權）人: 華東光電集成器件研究所
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 安徽省蚌埠博源專利商標事務所 34113
• 代理人: 楊晉弘

技術領域

本發明屬于厚膜混合集成電路制造領域，特別涉及利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法。

背景技術

目前混合集成電路激光有源微調的對象都是厚膜基板上通過成膜工序淀積的厚膜電阻，該厚膜電阻是無法更換的，而且激光調阻具有不可逆性，因此一旦有源微調失敗則電路只能報廢。總之，現有技術的缺陷為：現有混合集成電路激光有源微調的對象是無法更換的淀積厚膜電阻，一旦調阻失敗將無法修復，造成質量損失。經廣泛檢索，尚未發現解決該問題的有效技術方案。

發明內容

本發明的目的在于提供一種可激光微調并且易于更換的單個的陶瓷厚膜電阻器單元的設計和制作方法，用于替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器，能有效提高激光功能微調后的電路成品率。

實現本發明目的的技術解決方案為：

一種利用陶瓷厚膜電阻器單元修復厚膜混合集成電路的方法，其特征在于包括以下步驟：

（1）、制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，

（2）、修復厚膜混合集成電路，

a.隔離不合格厚膜電阻，將不合格厚膜電阻用激光切割的方法使其斷開與厚膜混合集成電路的電學連接；

b.粘片，將陶瓷厚膜電阻器單元粘接于不合格的厚膜電阻上；

c.鍵合，將陶瓷厚膜電阻器單元通過鍵合使其與厚膜電路形成電連接；

d.激光有源微調陶瓷厚膜電阻器單元的阻值。

在上述技術方案的基礎上，可以有以下進一步的技術方案：

所述的制作標準阻值的陶瓷厚膜電阻器單元，包括以下步驟：

a.?陶瓷基板的版圖設計，整塊陶瓷基板上設計有縱橫交錯的網格，每一網格為一個陶瓷基板單元，陶瓷基板單元長度不大于2.5mm，寬度不大于1.5mm；

單個陶瓷厚膜電阻器單元版圖設計，陶瓷厚膜電阻器單元包括陶瓷基板單元，陶瓷基板單元兩端由導體漿料印刷的矩形端電極，兩個矩形端電極中間由電阻漿料印刷的矩形電阻塊；

b.?將陶瓷基板版圖及陶瓷厚膜電阻器單元版圖光繪底片；

c.?將底片制版；

d.將陶瓷基板沿著網格預先激光切割，切割深度不小于陶瓷基板厚度的一半；

e.基板清洗；

f.?在陶瓷基板上絲網印刷矩形端電極和矩形電阻塊，然后干燥、燒結；

g.?燒結好的陶瓷基板沿著網格線端裂成獨立的陶瓷厚膜電阻器單元。

本發明的原理是：利用現有成膜工藝制作單個陶瓷厚膜電阻器單元，用于替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器來修復激光功能微調不合格的電路。

本發明與現有技術相比，其顯著優點是：利用陶瓷厚膜電阻器單元能夠替代直接淀積在基板上的厚膜電阻器，易于更換，能夠修復激光功能微調不合格的電路，一旦微調失敗，只需要更換新的陶瓷厚膜電阻器單元對電路進行修復即可，而不需要報廢整只電路。能有效提高激光功能微調后的電路成品率。

附圖說明

圖1是本發明制作陶瓷厚膜電阻器單元的流程圖以及厚膜電路修復過程流程圖；

圖2是制作陶瓷厚膜電阻器單元的激光預切割基板聯片圖形示意圖；

圖3是陶瓷厚膜電阻器單元結構圖。

具體實施方式

以下結合附圖，詳細說明本發明的實施方式。

一、陶瓷厚膜電阻器單元的制作

結合圖1，陶瓷厚膜電阻器單元的制作流程主要包括以下幾部分：

結構和版圖設計→光繪底片→制版→陶瓷基板預先激光切割→基板清洗→絲網印刷、干燥、燒成→裂片。

陶瓷厚膜電阻器單元結構和版圖設計的步驟為:

步驟1．結構和版圖設計：

1.1基板設計：激光切割基板外形設計為矩形，其聯片圖形如圖2中1所示，按橫縱方向進行激光切割，橫向切割方向如圖2中2所指，縱向切割方向如圖中3所指，切割深度不小于基板厚度的一半；陶瓷單元長度不大于2.5mm，寬度不大于1.5mm。

1.2?單個厚膜單元電阻版圖設計，陶瓷厚膜電阻器單元外框如圖3中4所示，陶瓷厚膜電阻器設計圖形如圖3中5所示，由兩端2個導體漿料印刷的矩形端電極5和中間電阻漿料印刷的矩形電阻塊6共同組成，該電阻的長寬比設計根據厚膜電阻的標稱阻值和電阻方數合并進行；

步驟2.光繪步驟具體方法為將單個厚膜單元電阻版圖按激光預切割基板所示的聯片形狀拼制成聯片圖形后，再將完成拼制的電子版圖調入光繪機進行版圖數據文件的光繪，制作菲林。

步驟3.制版步驟具體方法為利用步驟2獲得的菲林制作絲網掩模版；